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龙图腾网获悉基迈克材料科技(苏州)有限公司申请的专利一种吸气薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117535625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311069850.2，技术领域涉及：C23C14/14；该发明授权一种吸气薄膜及其制备方法是由张剑设计研发完成，并于2023-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种吸气薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种吸气薄膜及其制备方法，涉及镀膜领域，旨在解决避免VC腔体真空度降低的问题，其技术方案要点是：将基片进行第一层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的NiV合金靶或纯度99.9％的NiCr合金靶或纯度99.99％的AgNi合金靶；再进行第二层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的Pd靶；再进行第三层薄膜沉积，靶材为纯度99.9％的TiZr合金靶；再进行第四层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的Pd靶；再进行第五层薄膜沉积，靶材为纯度99.9％的TiZr合金靶；再进行第六层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的Pd靶；再进行第七层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的NiV合金靶或纯度99.9％NiCr合金靶或纯度99.99％AgNi合金靶。本发明的一种吸气薄膜及其制备方法能够保证VC腔体的性能。

本发明授权一种吸气薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤， S1：基片的准备，准备铜片，钛片，铝片或铜丝，钛丝，铝丝； S2：将所述基片进行清洗并擦干得到清洁干净的基片； S3：将所述基片进行等离子体清洗； S4：将所述基片进行第一层薄膜沉积，靶材为纯度99.95%的NiV合金靶或纯度99.9%的NiCr合金靶或纯度99.99%的AgNi合金靶； S5：将所述基片进行第二层薄膜沉积，靶材为纯度99.95%的Pd靶； S6：将所述基片进行第三层薄膜沉积，靶材为纯度99.9%的TiZr合金靶； S7：将所述基片进行第四层薄膜沉积，靶材为纯度99.95%的Pd靶； S8：将所述基片进行第五层薄膜沉积，靶材为纯度99.9%的TiZr合金靶； S9:将所述基片进行第六层薄膜沉积，靶材为纯度99.95%的Pd靶； S10：将所述基片进行第七层薄膜沉积，靶材为纯度99.95%的NiV合金靶或纯度99.9%NiCr合金靶或纯度99.99%AgNi合金靶。

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