重庆大学韦玮获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利红外光谱成像系统及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117606618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311614210.5，技术领域涉及：G01J3/28；该发明授权红外光谱成像系统及制备方法是由韦玮;兰桂莲;骆鹏;李潇轩;杨利平;王依霈;李正浩;郭安然设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外光谱成像系统及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及红外光谱成像技术领域，具体涉及一种基于可调谐像素化超表面增强的红外光谱成像系统及制备方法，包括自下而上依次设置的红外探测器单元、电介质层、像素化超表面阵列单元、纳米间隙层和石墨烯层，所述像素化超表面阵列单元几何结构参数由遗传算法逆向设计得到，用于实现超低损耗声学石墨烯等离激元模式与自由空间光的波矢匹配；所述像素化超表面阵列单元、纳米间隙层和石墨烯层形成的谐振器单元在红外光波激发下，产生不同谐振频率的低损耗声学石墨烯等离激元，从而在空间上对入射光波进行窄带滤波，实现高分辨光谱调制。其具有集成度高、灵敏度高、工作波段宽、可实现多种未知痕量分子探测等优点。
本发明授权红外光谱成像系统及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于可调谐像素化超表面增强的红外光谱成像系统，其特征在于：包括自下而上依次设置的红外探测器单元10、电介质层20、像素化超表面阵列单元30、纳米间隙层40和石墨烯层50，所述石墨烯层50表面边沿布置有源极70和漏极80，且所述源极70和漏极80通过石墨烯层50导通； 所述像素化超表面阵列单元30通过在电介质层20表面进行金属沉积和微纳加工获得，该像素化超表面阵列单元30几何结构参数由遗传算法逆向设计得到，用于实现超低损耗声学石墨烯等离激元模式与自由空间光的波矢匹配，且所述像素化超表面阵列单元30与红外探测器单元10表面的面阵阵列在空间位置上相互对应布置； 所述像素化超表面阵列单元30、纳米间隙层40和石墨烯层50形成的谐振器单元在红外光波激发下，产生不同谐振频率的低损耗声学石墨烯等离激元，从而在空间上对入射光波进行窄带滤波，实现高分辨光谱调制。
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