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龙图腾网获悉本源量子计算科技(合肥)股份有限公司申请的专利掩膜及其制造方法、约瑟夫森结器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117615637B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311535464.8，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权掩膜及其制造方法、约瑟夫森结器件及其制造方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;贾志龙设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜及其制造方法、约瑟夫森结器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种掩膜及其制造方法、约瑟夫森结器件及其制造方法。掩膜包括上层的第一光刻胶层和下层的第二光刻胶层，第一光刻胶层形成有相互垂直但不连通的第一沟槽和第二沟槽，第二光刻胶层形成有相互垂直且连通的第三沟槽和第四沟槽，第一沟槽与第三沟槽的延伸方向一致且在第三沟槽的开口范围内，第二沟槽与第四沟槽的延伸方向一致且在第四沟槽的开口范围内。在制造约瑟夫森结时，通过第一沟槽形成第一超导条带，通过第二沟槽形成第二超导条带，第二超导条带与第一超导条带的侧面绝缘层接触，从而在水平方向上构成超导体‑绝缘体‑超导体结构，即约瑟夫森结，从而本发明能够降低线宽对约瑟夫森结的面积的影响，使约瑟夫森结的电阻更符合预期。

本发明授权掩膜及其制造方法、约瑟夫森结器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种约瑟夫森结器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在衬底上设置掩膜，或根据掩膜的制造方法在所述衬底上形成掩膜，所述掩膜包括上层的第一光刻胶层和下层的第二光刻胶层，所述第一光刻胶层形成有相互垂直但不连通的第一沟槽和第二沟槽，所述第二光刻胶层形成有相互垂直且连通的第三沟槽和第四沟槽；所述掩膜的制造方法包括：形成上下层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层采用相同光刻胶，且曝光剂量高于所述第二光刻胶层的曝光剂量；通过光刻在所述第一光刻胶层上形成相互垂直但不连通的第一沟槽和第二沟槽，以及在所述第二光刻胶层上形成相互垂直且连通的第三沟槽和第四沟槽；其中，所述第一沟槽与所述第三沟槽的延伸方向一致且在所述第三沟槽的开口范围内所述第一沟槽与所述第三沟槽的延伸方向一致且在所述第三沟槽的开口范围内，所述第二沟槽与所述第四沟槽的延伸方向一致且在所述第四沟槽的开口范围内； 沿所述第一沟槽的延伸方向进行倾斜蒸发，在所述衬底上形成高度不低于所述第二光刻胶层的第一超导条带； 通过氧化在所述第一超导条带面向所述第四沟槽的侧面形成绝缘层； 从所述第二沟槽远离所述第一沟槽的一端向另一端进行倾斜蒸发，在所述衬底上形成端面朝向所述第一超导条带的侧面，且在平行于所述衬底表面的方向上与所述绝缘层接触的第二超导条带，以构成约瑟夫森结。

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