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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种高纯度低钙硅酸钙的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117623756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311504473.0，技术领域涉及：C04B35/22；该发明授权一种高纯度低钙硅酸钙的制备方法是由王发洲;刘志超;张志鹏;胡曙光设计研发完成，并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯度低钙硅酸钙的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高纯度低钙硅酸钙的制备方法，包括以下步骤：将氢氧化钙和二氧化硅加水混合均匀，得到混合料；将混合料烘干，随后加入乙醇混合均匀，再经压制成型制成第一坯体，然后将第一坯体进行第一煅烧处理，冷却后得到中间产物；将中间产物除去玻璃体后破碎、粉磨成粉料，随后向粉料中加入乙醇混合均匀，再经压制成型制成第二坯体，然后将第二坯体进行第二煅烧处理，冷却后得到高纯度低钙硅酸钙。本发明对现有的硅酸钙烧成工艺进行了改进，与现有制备工艺高度兼容，可重复性高。本发明制备的低钙硅酸钙纯度明显提升、在碳化过程中对低钙硅酸钙碳化的干扰明显降低，为C3S2和α‑CS的碳化性能研究提供了基础。

本发明授权一种高纯度低钙硅酸钙的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯度低钙硅酸钙的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将氢氧化钙和二氧化硅按照一定比例加水混合均匀，得到混合料； 将所述混合料烘干，随后加入乙醇混合均匀，再经压制成型制成第一坯体，然后将所述第一坯体进行第一煅烧处理，冷却后得到中间产物； 将所述中间产物除去玻璃体后破碎、粉磨成粉料，随后向所述粉料中加入乙醇混合均匀，再经压制成型制成第二坯体，然后将所述第二坯体进行第二煅烧处理，冷却后得到高纯度低钙硅酸钙；其中， 所述将氢氧化钙和二氧化硅按照一定比例加水混合均匀的过程中，水的加入量为氢氧化钙和二氧化硅总质量的1~3倍，混合时间为0.3~3h； 所述烘干的过程中，温度为100~150℃，湿度≤60%； 将混合料烘干后加入乙醇的过程中，乙醇的质量为混合料质量的0.1~0.5倍； 向粉料中加入乙醇的过程中，乙醇的质量为粉料质量的0.1~0.5倍； 所述压制成型的过程中，压强的峰值为≥5MPa，保压时间为10~60s； 所述第一坯体和所述第二坯体的厚度均不超过1.2cm； 粉磨成粉料的过程中，所得粉料的粒径500μm； 所述第一煅烧处理和所述第二煅烧处理的过程中，煅烧温度为1300~1450℃； 所述高纯度低钙硅酸钙为C3S2，所述氢氧化钙和二氧化硅中的钙硅摩尔比为1.45~1.55：1；所述第一煅烧处理和所述第二煅烧处理的过程中，保温时间均为1.5~2.5h；或，所述高纯度低钙硅酸钙为α-CS，所述氢氧化钙和二氧化硅中的钙硅摩尔比为0.95~1.05：1；所述第一煅烧处理的过程中，保温时间为0.5~1.5h，所述第二煅烧处理的过程中，保温时间为1.5~2.5h。

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