泉州市三安集成电路有限公司刘联锋获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州市三安集成电路有限公司申请的专利芯片结构、封装结构和芯片结构的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117767907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311800475.4,技术领域涉及:H03H9/05;该发明授权芯片结构、封装结构和芯片结构的制备方法是由刘联锋;许珂鸣;王硕设计研发完成,并于2023-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片结构、封装结构和芯片结构的制备方法在说明书摘要公布了:本申请实施例提供一种芯片结构、封装结构和芯片结构的制备方法。所述芯片结构包括:衬底;第一金属层,设置在所述衬底上,所述第一金属层包括Pad区域;第二金属层,设置在所述第一金属层背离所述衬底的一侧,且电连接于所述Pad区域,以及连接凸起结构,设置在第二金属层背离所述第一金属层的一侧,所述连接凸起结构用于连接焊料层。本实施例的芯片结构可以保证封装结构在De‑cap后失效模式为焊料层中间断裂,使得芯片和基板都有残金,从而降低凸点打开的失效率。
本发明授权芯片结构、封装结构和芯片结构的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种芯片结构,其特征在于,包括: 衬底; 第一金属层,设置在所述衬底上,所述第一金属层包括Pad区域; 第二金属层,设置在所述第一金属层背离所述衬底的一侧,且电连接于所述Pad区域;以及 连接凸起结构,设置在所述第二金属层背离所述第一金属层的一侧,所述连接凸起结构用于连接焊料层,以降低所述第二金属层与所述焊料层的连接力,使得所述芯片结构的封装结构在开盖后失效模式为所述焊料层中间断裂。
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