上海辉纳思光电科技有限公司张大庆获国家专利权
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龙图腾网获悉上海辉纳思光电科技有限公司申请的专利单分子自组装空穴传输材料及合成方法和光电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117946071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410104750.7，技术领域涉及：C07D401/10；该发明授权单分子自组装空穴传输材料及合成方法和光电器件是由张大庆;徐勃;黄锦海设计研发完成，并于2024-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本单分子自组装空穴传输材料及合成方法和光电器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种单分子自组装空穴传输材料，所述的材料为以吡啶二羧基为锚定基团的咔唑衍生物，具有如下式所示的化学通式本发明还涉及该单分子自组装空穴传输材料的合成方法及利用合成的材料作为空穴传输材料制备的光电器件。本发明提供的单分子自组装空穴传输材料，空穴传输性能好、界面钝化能力强，适合于大规模制备。
本发明授权单分子自组装空穴传输材料及合成方法和光电器件在权利要求书中公布了：1.一种单分子自组装空穴传输材料，具有如下式I所示的化学通式： I 其特征在于，式I为以下化合物1至3及化合物5至7中的任意一种：
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