买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国原子能科学研究院申请的专利一种核反应在半导体材料中引发的非电离能损的计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118052115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410016897.0，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种核反应在半导体材料中引发的非电离能损的计算方法是由韩金华;郭刚;殷倩;刘翠翠设计研发完成，并于2024-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种核反应在半导体材料中引发的非电离能损的计算方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种核反应在半导体材料中引发的非电离能损的计算方法，该方法在采用蒙特卡罗程序模拟辐射粒子与半导体材料的核反应时，通过设置核反应截面的偏倚倍数b，使核反应截面增大为实际的b倍，保证在极薄的半导体材料靶中获得足够的核反应事件数，这会使计算得到的非电离能损更为精确。本发明可在较短模拟时间内获得足够的核反应事件数目，这样就可以更为高效地获得更为精确的质子在半导体材料中发生核反应引发的非电离能损。该方法不仅可以用于质子在半导体材料中通过核反应引发的非电离能损的模拟计算，对于中子、α粒子或重离子等在半导体材料中通过核反应引发的非电离能损的模拟计算也同样适用。

本发明授权一种核反应在半导体材料中引发的非电离能损的计算方法在权利要求书中公布了：1.一种核反应在半导体材料中引发的非电离能损的计算方法，其特征在于：该方法在采用蒙特卡罗程序模拟辐射粒子与半导体材料的核反应时，通过设置核反应截面的偏倚倍数b，使核反应截面增大为实际的b倍，保证在极薄的半导体材料靶中获得足够的核反应事件数，提高模拟效率，使计算得到的非电离能损更为精确；计算质子在半导体材料中核反应引发的非电离能损包括如下步骤： 1在蒙特卡罗程序中根据入射质子能量E设置半导体材料的几何厚度h，保证质子在其中的能量损失相对于E极小； 2设置核反应截面的偏倚倍数b，使核反应截面增大为实际的b倍； 3通过蒙特卡罗程序对质子与半导体材料的核反应事件进行模拟，首轮模拟将入射质子数N设置为一个可在短时间内完成模拟的数目，观察发生核反应的质子数目Nr，根据发生核反应的质子的比例来调整核反应截面偏倚倍数b，使得大部分入射质子都可以在靶中发生核反应； 4对核反应截面的偏倚倍数b进行调整后，将入射质子数N设置为一个较大的数，保证模拟出的核反应事件数目足以使得统计出的质子非电离能损较为精确，对质子与半导体材料的核反应进行蒙特卡罗模拟，记录下在靶内产生的每一个核反应产物的原子序数Zi、质量数Ai和能量Ei，下标i代表第i个核反应产物； 5通过下式计算质子核反应在半导体材料中引发的非电离能损， 其中，NIEL为非电离能损，ρ为半导体材料的密度，Qi为在半导体材料中核反应产物能量Ei中用于非电离能损的百分比。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国原子能科学研究院，其通讯地址为：102413 北京市房山区新镇三强路1号院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。