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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种电流极性可控的半导体光电探测器及设有其的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118198170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410129689.1，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种电流极性可控的半导体光电探测器及设有其的器件是由江灏;房业章;吕泽升;温泉设计研发完成，并于2024-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电流极性可控的半导体光电探测器及设有其的器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种电流极性可控的半导体光电探测器及设有其的器件，其中，半导体光电探测器的有源层中的下极化层和上极化层为异质结构，且下极化层的禁带宽度可大于或小于上极化层的禁带宽度，下极化层和上极化层的接触界面上积累负极化电荷或正极化电荷，且其接触界面处形成的异质结势垒的绝对值大于0.3eV。本发明利用化合物半导体的强极化效应，在异质结界面处形成的具有界面双侧耗尽层的异质结势垒，在特定偏压范围下，用与下极化层和上极化层带隙所对应波段的光照射器件，可形成方向相反或相同的响应电流，由此，可根据偏压和入射光，来控制电流极性，实现光控逻辑门、光波段识别或双波段光高增益探测等功能。

本发明授权一种电流极性可控的半导体光电探测器及设有其的器件在权利要求书中公布了：1.一种电流极性可控的半导体光电探测器，其特征在于，所述光电探测器采用Ⅲ族氮化物材料，其有源层包括外延层及金属接触电极，所述外延层按照自下而上的生长顺序依次为下接触层、下极化层、上极化层及上接触层； 所述金属接触电极包括沉积于下接触层上的下接触电极，和，沉积于上接触层上的上接触电极； 所述下极化层和上极化层为异质结构，且下极化层的禁带宽度可大于或小于上极化层的禁带宽度； 所述下极化层和上极化层的接触界面上积累正极化电荷或负极化电荷，且所述下极化层和上极化层的接触界面处形成的异质结势垒的绝对值大于0.3eV； 所述下极化层与上极化层为金属极性晶面的III族氮化物半导体材料，且为弱n层型的轻掺杂或非故意掺杂层，其电子浓度小于3×1017cm-3；所述金属极性晶面的III族氮化物半导体材料为Ga、Al、In中一个或多个面生长的III族氮化物半导体材料； 或，所述下极化层、上极化层为非金属极性晶面的III族氮化物半导体材料，且为弱p层型轻掺杂层或非故意掺杂层，其空穴浓度小于3×1017cm-3，所述非金属极性晶面的III族氮化物半导体材料为N面生长的III族氮化物半导体材料。

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