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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种利用光伏硅切割废料制备高倍率硅基复合负极材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118307001B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410428293.7，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种利用光伏硅切割废料制备高倍率硅基复合负极材料的方法是由李绍元;王雷;马文会;席风硕;陆继军;童焕伦;万小涵;于洁设计研发完成，并于2024-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用光伏硅切割废料制备高倍率硅基复合负极材料的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用光伏硅切割废料制备高倍率硅基复合负极材料的方法，属于新能源材料领域。本发明通过在硅球表面沉积包覆氧化锂层和钝化层得到电化学性能优异的复合负极材料；其中硅球由光伏硅切割废料制备得到，其二维结构可以提供优异的倍率性能；氧化锂涂层可以部分补偿循环过程中的锂损失，提升初始库伦效率；稳固的钝化层可以抑制硅的体积膨胀，减少界面副反应的发生，增强硅的反应可逆性。本发明公布了一种高效的策略来有效解决硅基负极面临的体积膨胀大、初始库伦效率低的问题，合成的复合材料倍率性能高，应用前景广阔。

本发明授权一种利用光伏硅切割废料制备高倍率硅基复合负极材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用光伏硅切割废料制备高倍率硅基复合负极材料的方法，其特征在于：通过在硅球表面先沉积包覆氧化锂层，再沉积包覆钝化层得到一种核壳结构的硅基复合负极材料； 氧化锂层和钝化层的沉积包覆用的方法为流化床原子沉积，具体为： 1将硅球放置在流化床原子沉积装置中，先沉积包覆氧化锂层，单次氧化锂层的沉积步骤包括：将锂源脉冲1~600s、N2吹扫1~600s、氧源为水、臭氧中的一种，脉冲1~600s和N2吹扫1~600s，脉冲过程中气体流速为0.1~10Lmin；通过单次沉积，氧化锂层的厚度为0.01~0.2nm，通过控制沉积次数最后使含纳米硅的硅球表面沉积包覆有厚度为0.1~30nm的氧化锂层； 2通过将锂源更换为前驱体源在氧化锂层表面继续沉积钝化层，单次钝化层的沉积步骤1~600s为前驱体源脉冲1~600s、N2吹扫1~600s、氧源水、臭氧中的一种脉冲1~600s和N2吹扫，脉冲过程中气体流速为0.1~10Lmin；通过单次沉积，钝化层的厚度为0.01~0.2nm，通过控制沉积次数最后在沉积有氧化锂的含纳米硅的硅球表面沉积厚度为0.1~50nm的钝化层； 所述钝化层为氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化锡、氧化铁、氧化铜、氧化银中的一种； 沉积包覆氧化锂层时，锂源包括环戊二烯锂、2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮锂、叔丁醇锂中的一种； 所述硅球使用光伏硅切割废料作为原料制备得到。

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