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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118360586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410477182.5，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管是由张鹏飞;王宏兴;李奉南;王玮;问峰;张明辉;朱天飞;张晓凡设计研发完成，并于2024-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法，其包括以下步骤：S1，预处理；S2，保护性生长第一步：向所述生长腔室持续通入流量为300‑500sccm的H2，后设定微波功率＝2500‑3000W，腔室压力＝80‑90Torr；后通入CH4气体进行金刚石第一生长时间的生长，且气体流量之比H2:CH4＝100:6‑10；第一生长时间为10‑20min；S3，保护性生长第二步：再通入N2进行金刚石第二生长时间的生长，且气体流量之比H2:N2＝100:0.01‑0.04；第二生长时间为5‑15min；后停止通入N2；S4，后期稳定性生长：进入金刚石第三生长时间的生长；第三生长时间为50‑400min。本发明解决了现有技术中在GaN衬底上直接生长金刚石时容易对GaN衬底造成刻蚀损伤的问题，不仅实现了在GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜，而且金刚石膜质量高、界面结合较好且界面热阻较低。

本发明授权一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，预处理：提供GaN衬底，且其一底面覆盖有SiNx介质层；后调整SiNx介质层的厚度为10-20nm；再在SiNx介质层表面利用金刚石粉植晶后，将所述GaN衬底放置在MPCVD设备的生长腔室内； S2，保护性生长第一步：向所述生长腔室持续通入流量为300-500sccm的H2，后设定微波功率=2500-3000W，腔室压力=80-90Torr；后通入CH4气体进行金刚石第一生长时间的生长，且气体流量之比H2:CH4=100:6-10；第一生长时间为10-20min； S3，保护性生长第二步：再通入N2进行金刚石第二生长时间的生长，且气体流量之比H2:N2=100:0.01-0.04；第二生长时间为5-15min；后停止通入N2； S4，后期稳定性生长：进入金刚石第三生长时间的生长；第三生长时间为50-400min； 步骤S4中，进入第三生长时间之前，降低CH4气体流量至气体流量之比H2:CH4=100:1-5。

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