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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118523168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410615885.X，技术领域涉及：H01S5/42；该发明授权一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列及其制备方法是由石琳琳;代昱成;邹永刚;范杰;付曦瑶;李岩设计研发完成，并于2024-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列及其制备方法，该半导体激光器包括：激光器VCSEL阵列以及位于激光器VCSEL阵列上方的中间层和上盖层；激光器VCSEL阵列包括间隔排列的液晶取向下层；中间层包括液晶层和间隔层，间隔层在所述激光器VCSEL阵列的边缘形成一圈墙面结构，液晶层位于所述墙面结构内；上盖层为具有图案化ITO电极玻璃盖层；上盖层包括间隔排列的液晶取向上层和ITO梳状电极；激光器VCSEL阵列通过间隔层与上盖层连接。本申请提供的液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列的液晶层与VCSEL阵列无需共用同一电极，减少相互的电子串扰，增加可靠性，结合液晶的双折射率特性实现激射稳定的正交偏振光。

本发明授权一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种液晶偏振调谐面发射半导体激光器阵列，其特征在于，包括： 激光器VCSEL阵列以及位于所述激光器VCSEL阵列上方的中间层和上盖层； 所述激光器VCSEL阵列包括间隔排列的液晶取向下层；所述中间层包括液晶层和间隔层，所述间隔层在所述激光器VCSEL阵列的边缘形成一圈墙面结构，所述液晶层位于所述墙面结构内； 所述上盖层为具有图案化ITO电极玻璃盖层；所述上盖层包括间隔排列的液晶取向上层和ITO梳状电极；所述ITO梳状电极为共面梳状电极，用于为液晶层提供水平电场；所述激光器VCSEL阵列通过所述间隔层与所述上盖层连接； 所述液晶取向下层和所述液晶取向上层用于实现液晶垂直排列；在施加电压时，液晶分子在ITO梳状电极之间水平电场作用下发生转动，液晶层中发生双折射现象，所述激光器VCSEL阵列出射光产生相位延迟，偏振态发生改变，通过电压稳定控制偏振态，以达到预期效果； 所述激光器VCSEL阵列包括n面电极以及依次叠设在所述n面电极上的衬底、n型DBR和有源层；所述有源层的上方设有p型DBR，所述p型DBR的上方依次设有钝化层和p面电极；所述有源层的上方还设有位于所述p型DBR上的圆台结构，所述圆台结构的顶部开设电流注入窗口，所述电流注入窗口内填充有圆柱形电极；所述p面电极上开设有与所述圆柱形电极相对应的激光器出光孔； 所述液晶取向下层包括填充在所述激光器出光孔内的第一液晶取向下层以及设置在所述钝化层上方的第二液晶取向下层。

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