超威半导体公司所罗伯·沙玛获国家专利权
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龙图腾网获悉超威半导体公司申请的专利并行处理单元中的表面可缓存性的随机优化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118556230B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280085263.X，技术领域涉及：G06F12/0802；该发明授权并行处理单元中的表面可缓存性的随机优化是由所罗伯·沙玛;杰里米·卢卡奇;哈希姆·哈希米;詹保罗·托马西;克里斯多夫·布伦南设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本并行处理单元中的表面可缓存性的随机优化在说明书摘要公布了：处理系统[100]在并行处理单元[110]的本地高速缓存[120]处为超过该高速缓存的存储容量的重复数据模式[420]的高速缓存行选择性地分配存储。该处理系统识别具有高速缓存行的重复数据模式，该高速缓存行具有超过该高速缓存的存储容量的重用距离。高速缓存控制器[130]在该高速缓存处仅为该重复数据模式的高速缓存行子集[140]分配存储，并且从该高速缓存中排除该重复数据模式的高速缓存行的剩余部分[415]。通过限制该高速缓存仅存储该重复数据模式的高速缓存行子集，该高速缓存控制器增加了该高速缓存行子集在该高速缓存处的命中率。
本发明授权并行处理单元中的表面可缓存性的随机优化在权利要求书中公布了：1.一种方法，所述方法包括： 响应于重复数据模式，其中所述重复数据模式的单个实例具有超过高速缓存的存储容量的高速缓存行数量，其中所述重复数据模式将被存储在所述高速缓存中，在所述高速缓存处仅为所述单个实例的高速缓存行子集分配存储。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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