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龙图腾网获悉日立能源有限公司申请的专利半导体器件、半导体模块和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118591871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280089937.3，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体器件、半导体模块和制造方法是由J·舒德勒;G·塞尔瓦托;F·莫恩;柳春雷设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、半导体模块和制造方法在说明书摘要公布了：在一个实施例中，一种半导体器件1包括：•‑被配置用于至少0.6kV的电压的半导体芯片，该半导体芯片包括位于芯片顶侧处的顶部接触区域，•‑与顶部接触区域电接触的第一电布线层，该第一电布线层具有被电分配给顶部接触区域的第一接触区域，•‑第二电布线层，该第二电布线层位于第一电布线层的远离顶部接触区域的一侧上并且具有被电分配给顶部接触区域的第二接触区域，这些第二接触区域被配置为外部接触区域，其中第二接触区域中的至少一个以与顶部接触区域中被分配的一个不同的方式成形。

本发明授权半导体器件、半导体模块和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件1，所述半导体器件包括： -半导体芯片2，被配置用于至少0.6kV的电压，所述半导体芯片包括位于芯片顶侧20处的顶部接触区域21， -第一电布线层3，与所述顶部接触区域21电接触，所述第一电布线层具有被电分配给所述顶部接触区域21的第一接触区域31， -第二电布线层4，所述第二电布线层位于所述第一电布线层3的远离所述顶部接触区域21的一侧上并且具有被电分配给所述顶部接触区域21的第二接触区域42，所述第二接触区域42被配置为外部接触区域，以及 -至少一个第三电布线层5，所述至少一个第三电布线层位于所述第一电布线层3与所述第二电布线层4之间并与所述第一电布线层3和所述第二电布线层4电连接，并且具有第三接触区域53， 其中， -所述半导体器件1为芯片大小的封装， -所述半导体芯片2是功率金属绝缘体场效应晶体管MISFET或功率绝缘栅双极晶体管IGBT， -所述第一电布线层3、所述第二电布线层4和所述至少一个第三电布线层5在每种情况下均通过由介电材料制成的绝缘层61、62、63彼此分开，穿过所述绝缘层61、62、63形成电直通接触部71、72、73， -所述第二接触区域42中的形状与所述顶部接触区域的被电分配的一个顶部接触区域不同的第一者以同轴的方式完全围绕所述第二接触区域42中的形状与所述顶部接触区域的被电分配的一个顶部接触区域不同的第二者延伸，在所述芯片顶侧20的俯视图中所见，使得所述第二接触区域42中的第一者和第二者被设置为旋转对称和或点对称。

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