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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种低噪声高精度的ADC基准缓冲器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118659787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410824261.9，技术领域涉及：H03M1/18；该发明授权一种低噪声高精度的ADC基准缓冲器电路是由田鸿宇;徐佳伟设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低噪声高精度的ADC基准缓冲器电路在说明书摘要公布了：本发明属于数据转换技术领域，具体为一种低噪声高精度的ADC基准缓冲器电路。本发明电路主体为PMOSLDO，包括:多级小增益级联的误差放大器，作为中间级缓冲器的超级源随器，反馈电阻R1和R2以及片外电容CL；为满足驱动能力的要求，采用带片外电容的方式，整体拓扑为多级小增益级联结构，以满足缓冲器在全负载范围内的稳定性；在多级小增益级联拓扑基础上改进为乒乓自调零的结构，从而消除基准缓冲器中误差放大器带来的1f噪声和失调，并保证电路的连续工作；同对反馈电阻进行修调设计，通过单温度点修调，提高最终输出电压的绝对精度。仿真结果表明：在满足环路增益的情况下，保证环路在整个负载范围内的绝对稳定性，大大提供抗噪声性能。

本发明授权一种低噪声高精度的ADC基准缓冲器电路在权利要求书中公布了：1.一种低噪声高精度的ADC基准缓冲器电路，其特征在于，电路主体为PMOSLDO，包括：多级小增益放大器级联的误差放大器EA；作为中间级缓冲器buffer的超级源随器SSF；反馈电阻R1和R2以及片外电容CL；为满足驱动能力的要求，采用带片外电容的方式，整体拓扑为多级小增益级联Multi-stage结构，以满足缓冲器在全负载范围内的稳定性；在多级小增益放大器级联拓扑的基础上改进为乒乓自调零的结构，从而消除基准缓冲器中误差放大器带来的1f噪声和失调，并保证电路的连续工作；同对反馈电阻进行修调设计，通过单温度点修调，提高最终输出电压的绝对精度；具体连接方式为：误差放大器由两路结构相同的多级小增益放大器级联构成，分为Ping和Pong两路，误差放大器输入负端接参考电压VBG，输入正端接电阻反馈点VFB，输出连接超级源随器SSF的输入，超级源随器SSF输出连接PMOS负载管栅极，PMOS负载管源极接电源电压VDD，PMOS负载管漏极为LDO输出VREF，下面依次串联反馈电阻R1和R2，其中R1上方串联修调电阻RT，R2下方接地，输出并联片外电容CL。

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