科晶瑞思(苏州)科技有限公司石若愚获国家专利权
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龙图腾网获悉科晶瑞思(苏州)科技有限公司申请的专利一种光刻掩膜及其制备方法和在极紫外光刻中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118759795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411094492.5，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权一种光刻掩膜及其制备方法和在极紫外光刻中的应用是由石若愚设计研发完成，并于2024-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻掩膜及其制备方法和在极紫外光刻中的应用在说明书摘要公布了：本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种光刻掩膜及其制备方法和在极紫外光刻中的应用。本发明提供了一种光刻掩膜，包括依次层叠设置的基底层、氮化硅层和反射层。本发明提供的光刻掩膜采用氮化硅作为反射层的打底层，能够很好地起到连接基底层与反射层的作用，保证掩膜的各个膜层不会轻易脱落。同时，氮化硅具有高硬度、耐高温、耐腐蚀以及优异的绝缘性和导热性等性能，能够很好地保持极紫外掩膜板的稳定性。
本发明授权一种光刻掩膜及其制备方法和在极紫外光刻中的应用在权利要求书中公布了：1.一种光刻掩膜，其特征在于，由依次层叠设置的基底层、氮化硅层和反射层组成； 所述反射层的材质包括Mo、Si、Cr、C和B4C中的两种或两种以上； 所述氮化硅层的厚度为5～20nm； 所述光刻掩膜的制备方法，包括以下步骤： 在基底层的单侧表面沉积氮化硅，得到氮化硅层； 在所述氮化硅层的表面制备反射层，得到所述光刻掩膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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