青岛翼晨镭硕科技有限公司王星获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛翼晨镭硕科技有限公司申请的专利一种纳米锥场发射阴极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118762976B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410778126.5，技术领域涉及：H01J9/02；该发明授权一种纳米锥场发射阴极的制备方法是由王星;张子旸;贾宪生;陈红梅设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米锥场发射阴极的制备方法在说明书摘要公布了：一种纳米锥场发射阴极的制备方法，包括以下步骤：1对硅片基底进行清洗，干燥后对硅基底上表层进行金属离子注入；2在步骤1基底上沉积SiO2作为掩膜层；3步骤2基底表面自组装聚苯乙烯微球；4第一次等离子刻蚀，将SiO2层刻蚀出纳米柱掩膜结构；5使用溶剂超声清洗样片，然后使用等离子去胶机进行刻蚀清洗；6以SiO2纳米图案结构作为掩膜，对Si基底材料进行干法刻蚀，即第二次等离子刻蚀，最后进行超声清洗后，得到纳米锥场发射阴极。该方法提高了尖部的导电性能，更有利于电子发射，纳米材料更加稳定，在多次的发射后不容易脱落。
本发明授权一种纳米锥场发射阴极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米锥场发射阴极的制备方法，包括以下步骤： 1对硅片基底进行清洗，干燥后对硅基底上表层进行金属离子注入； 2在步骤1基底上沉积一层SiO2作为掩膜层； 3步骤2基底表面自组装聚苯乙烯PS微球； 4通过CHF3和Ar进行第一次等离子刻蚀，将SiO2层刻蚀出纳米柱掩膜结构； 5使用溶剂超声清洗样片，然后使用等离子去胶机通入O2对样片表面进行刻蚀清洗，最终目的为去除表面的PS微球； 6使用氟基气体和惰性气体作为刻蚀气体，以SiO2纳米图案结构作为掩膜，对Si基底材料进行干法刻蚀，即第二次等离子刻蚀，控制工艺参数，从而刻蚀出硅基纳米锥周期性结构阵列；最后对已经形成的纳米颗粒修饰的纳米硅锥进行超声清洗后，得到纳米锥场发射阴极。
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