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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种宽带增益、频率可调谐高Q值滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118868858B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411042041.7，技术领域涉及：H03H11/12；该发明授权一种宽带增益、频率可调谐高Q值滤波器是由高志强;刘宇嵩设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽带增益、频率可调谐高Q值滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽带增益、频率可调谐高Q值滤波器，所述滤波器包括低噪声放大器单元、差分N通道滤波器单元，其中：所述低噪声放大器单元为增益可调谐单端输入差分输出的负载平衡型低噪声放大器；所述差分N通道滤波器单元由相位差90°的四相时钟驱动，四相时钟输入连接外界输入的相位差为90°的信号；所述低噪声放大器的输入端连接天线端的输入信号，低噪声放大器的输出正端连接差分N通道滤波器的输入正端，低噪声放大器的输出负端连接差分N通道滤波器的输入负端。本发明在高Q值滤波器的基础上，实现了单端转双端信号接收、增益可调节、滤波中心频率可调谐、低噪声、高带宽、输出差分平衡、带负载能力强的特性。

本发明授权一种宽带增益、频率可调谐高Q值滤波器在权利要求书中公布了：1.一种宽带增益、频率可调谐高Q值滤波器，其特征在于所述滤波器包括低噪声放大器单元、差分N通道滤波器单元，其中： 所述低噪声放大器单元为增益可调谐单端输入差分输出的负载平衡型低噪声放大器； 所述差分N通道滤波器单元由相位差90°的四相时钟驱动，四相时钟输入连接外界输入的相位差为90°的信号； 所述低噪声放大器的输入端连接天线端的输入信号，低噪声放大器的输出正端连接差分N通道滤波器的输入正端，低噪声放大器的输出负端连接差分N通道滤波器的输入负端，一路天线端的接收信号通过低噪声放大器进行输入匹配并转化为两路全差分信号，两路全差分信号同时输入差分N通道滤波器，两路全差分信号分别通过相位差为90°的四相时钟对四路接地的电容进行充放电，其中两路全差分信号之间的时钟相差180°相位，从而实现差分输出，差分输出经过正反向输入的信号加和、电路输出增益及相位平衡的滤波后输出平衡的差分信号； 所述差分N通道滤波器单元包含12个电容C6~C17、20个NMOS晶体管M8~M27、4个电阻R7~R10，其中： 所述NMOS晶体管M24的漏极、NMOS晶体管M26的漏极、电阻R7的一端、电阻R9的一端同时连接到VDD； 所述NMOS晶体管M25的源极、NMOS晶体管M27的源极同时连接到VSS； 所述电容C6~C13的一端、NMOS晶体管M25、M27的源极同时连接GND； 所述NMOS晶体管M8、M10、M12、M14的源极连接到一起作为差分N通道滤波器的输入正端VIN+； 所述NMOS晶体管M16、M18、M20、M22的源极连接到一起作为差分N通道滤波器的输入负端VIN-； 所述NMOS晶体管M9、M11、M13、M15的漏极同时连接到电容C14、C17的一端； 所述NMOS晶体管M17、M19、M21、M23的漏极同时连接到电容C16、C15的一端； 所述NMOS晶体管M8、M9、M16、M17的栅极连接到输入时钟信号CLK3； 所述NMOS晶体管M10、M11、M18、M19的栅极连接到输入时钟信号CLK0； 所述NMOS晶体管M12、M13、M20、M21的栅极连接到输入时钟信号CLK1； 所述NMOS晶体管M14、M15、M22、M23的栅极连接到输入时钟信号CLK2； 所述NMOS晶体管M8的漏极、NMOS晶体管M9的源极、NMOS晶体管M20的漏极、NMOS晶体管M21的源极、电容C6的另一端同时连接到电容C12的另一端； 所述NMOS晶体管M10的漏极、NMOS晶体管M11的源极、NMOS晶体管M22的漏极、NMOS晶体管M23的源极、电容C7的另一端同时连接到电容C13的另一端； 所述NMOS晶体管M12的漏极、NMOS晶体管M13的源极、NMOS晶体管M16的漏极、NMOS晶体管M17的源极、电容C8的另一端同时连接到电容C10的另一端； 所述NMOS晶体管M14的漏极、NMOS晶体管M15的源极、NMOS晶体管M18的漏极、NMOS晶体管M19的源极、电容C9的另一端同时连接到电容C11的另一端； 所述电阻R8的一端、电阻R10的一端同时连接到VCM； 所述电容C14的另一端、电阻R7的另一端同时连接到NMOS晶体管M24的栅极； 所述电容C15的另一端、电阻R8的另一端同时连接到NMOS晶体管M25的栅极； 所述电容C16的另一端、电阻R9的另一端同时连接到NMOS晶体管M26的栅极； 所述电容C17的另一端、电阻R10的另一端同时连接到NMOS晶体管M27的栅极； 所述NMOS晶体管M24的源极连接到NMOS晶体管M25的漏极，作为正输出VOP； 所述NMOS晶体管M26的源极连接到NMOS晶体管M27的漏极，作为负输出VON。

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