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龙图腾网获悉上海鼎阳通半导体科技有限公司申请的专利IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888578B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411055990.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT器件及其制造方法是由陈为真设计研发完成，并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT器件，有源区中包括沟道区域和假栅区域。沟道区域中包括：漂移区，体区和沟槽栅。被沟槽栅侧面覆盖的体区表面用于形成导电沟道。发射区通过顶部连接到由正面金属层组成的发射极。假栅区域中包括沟槽假栅。在假栅区域的体区表面区域中未形成所述发射区，被沟槽栅侧面覆盖的体区表面不会形成导电沟道；在假栅区域的所述体区表面区域中形成有第二导电类型的第一注入区，第一注入区和体区的第二导电类型杂质相叠加形成第二导电类型载流子引出区。第二导电类型载流子引出区顶部连接到发射极。本发明还公开了一种IGBT器件的制造方法。本发明能提高假栅区域收集第二导电类型的载流子能力，减少沟道区域电流，提高IGBT的抗闩锁能力。

本发明授权IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于：有源区中包括沟道区域和假栅区域； 所述沟道区域中包括： 第一导电类型的漂移区； 形成于所述漂移区表面的第二导电类型的体区； 穿过所述体区的沟槽栅； 形成于所述体区表面区域的第一导电类型重掺杂的发射区，所述发射区和所述沟槽栅的侧面自对准；被所述沟槽栅侧面覆盖的所述体区表面用于形成连接所述发射区和所述漂移区的导电沟道； 所述发射区通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层组成的发射极； 所述漂移区和所述体区都延伸到所述假栅区域； 在所述漂移区的背面形成有第二导电类型重掺杂的集电区； 所述假栅区域中还包括沟槽假栅； 在所述假栅区域的所述体区表面区域中未形成所述发射区，被所述沟槽栅侧面覆盖的所述体区表面不会形成导电沟道；在所述假栅区域的所述体区表面区域中形成有第二导电类型的第一注入区，所述第一注入区的第二导电类型的杂质和所述体区的第二导电类型杂质相叠加形成第二导电类型载流子引出区； 所述第二导电类型载流子引出区通过顶部对应的接触孔连接到所述发射极； IGBT导通时，第二导电类型载流子的导通路径包括从所述漂移区、所述体区、所述体区顶部的所述接触孔到所述发射极的第一路径以及从所述漂移区、所述第二导电类型载流子引出区、所述第二导电类型载流子引出区顶部的所述接触孔到所述发射极的第二路径，所述第二导电类型载流子引出区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度，使所述第二路径的电阻小于所述第一路径的电阻，从而减少所述第一路径的第二导电类型载流子的电流，提高所述IGBT的抗闩锁能力。

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