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龙图腾网获悉深圳市唯亮光电科技有限公司申请的专利一种二次蚀刻的LED引线框架制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118899226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410982196.2，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种二次蚀刻的LED引线框架制备方法是由银光耀;王志甲;钟如在;韩浩设计研发完成，并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二次蚀刻的LED引线框架制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二次蚀刻的LED引线框架制备方法，通过两次蚀刻工序，能够将第二凹槽的蚀刻深度做得足够深，从而缩减第一凹槽的槽底与第二凹槽的槽底之间的距离，为后续的切割工序提供便利。由于第二凹槽的深度足够深，在后续的切割工序中，刀具需切割的部分很小，从而延长了切割刀具的使用寿命，减少刀具磨损速率。而且通过二次蚀刻制备出来的引线框架，其更便于后续切割工序的切割，还能够消除切割时因金属基材厚度较厚而带来裂纹等问题，提高产品质量，从而提升工作效率。

本发明授权一种二次蚀刻的LED引线框架制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二次蚀刻的LED引线框架制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤A，一次蚀刻，在金属基材的顶面蚀刻出第一凹槽或镂空部，以制备出LED支架基材； 步骤B，一次注塑，将步骤A中制备出来的LED支架基材进行注塑，以使注塑材料充满所述第一凹槽或镂空部，注塑材料凝固成型后制备出平板； 步骤C，一次除胶，对步骤B中制备得到的平板表面进行除胶； 步骤D，二次蚀刻，对步骤C中除胶后的平板的底面进行二次蚀刻，使平板的底面蚀刻出第二凹槽； 步骤E，电镀，利用电镀设备对步骤D中的平板进行电镀，以形成金属反射层； 还包括对步骤A中制备出的LED支架基材进行半蚀刻位粗化处理，包括以下步骤， 步骤S1，纯水清洗，利用纯水对制备的LED支架基材进行清洗； 步骤S2，除油，将步骤S1中清洗后的LED支架基材用浓度为3～5％的硫酸进行除油； 步骤S3，超粗化，将粗化液喷到LED支架基材待粗化的区域，超粗化的温度为24～28℃，粗化液的Cu2+浓度为15～45gL，微蚀量为0.6～1μm； 步骤S4，酸洗，酸洗液为盐酸溶液，其中盐酸浓度为3～4％，Cu2+含量≤2gL，酸洗温度80～100℃； 步骤S5，烘干，对LED支架基材进行烘干，烘干温度为80～100℃； 步骤S6，水破测试，酸洗后的LED支架基进行水破测试，挂水时间≥30s。

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