隆达电子股份有限公司郭修邑获国家专利权
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龙图腾网获悉隆达电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410504005.1，技术领域涉及：H10H20/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郭修邑;许国翊设计研发完成，并于2024-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构及其形成方法，其中该半导体结构包括一微型半导体元件以及一支撑断件。微型半导体元件具有相对的一第一表面和一第二表面，且微型半导体元件包含一第一电极和一第二电极设置于前述第一表面且彼此分离。前述支撑断件位于前述微型半导体元件上且对应于前述第一电极的一主体部和前述第二电极之间的一区域设置。其中俯视前述微型半导体元件，前述支撑断件具有一环状断面。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 微型半导体元件，具有相对的第一表面和第二表面，该微型半导体元件包含第一电极和第二电极设置于该第一表面且彼此分离；以及 支撑断件supportingfragment，位于该微型半导体元件上且对应于该第一电极的主体部和该第二电极之间的区域设置； 其中俯视该微型半导体元件，该支撑断件具有环状断面circularbreakingsurface。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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