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北京理工大学王莅辰获国家专利权

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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种嵌入图案化电阻膜的叠层透明隐身超结构及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118943744B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411021641.5,技术领域涉及:H01Q15/00;该发明授权一种嵌入图案化电阻膜的叠层透明隐身超结构及制备方法是由王莅辰;陈明继;宋维力设计研发完成,并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种嵌入图案化电阻膜的叠层透明隐身超结构及制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开的一种嵌入图案化电阻膜的叠层透明隐身超结构及制备方法,属于透明电磁隐身结构技术领域。嵌入图案化电阻膜叠层透明隐身超结构,包括图案化吸波层、介质层、边框、边框封板和反射背板。图案化吸波层包括N层图案化导电薄膜和N层承托基板。承托基板置于图案化导电薄膜之下。图案化导电薄膜包括图案化导电材料和基底。导电材料在基底表面图案化成型。通过定制N层光学透明的频率选择表面导电薄膜几何图案实现叠层多频点谐振,采用多层频率选择表面叠层界面谐振损耗吸波。介质层包括N+1层透明介质,由透明液态材料固化成型。制备方法采用嵌入图案化电阻膜和液态介质层边框模具固化制作工艺,使透明隐身超结构不易分层机械可靠性高。

本发明授权一种嵌入图案化电阻膜的叠层透明隐身超结构及制备方法在权利要求书中公布了:1.嵌入图案化电阻膜叠层透明隐身超结构,其特征在于:包括图案化吸波层1、介质层2、边框3、边框封板4和反射背板5; 所述图案化吸波层1包括N层图案化导电薄膜1.1和N层承托基板1.2; 所述图案化导电薄膜1.1包括图案化导电材料和基底;导电材料在基底表面图案化成型;通过定制N层光学透明的频率选择表面导电薄膜几何图案实现叠层多频点谐振; 所述承托基板1.2置于图案化导电薄膜1.1之下,为图案化导电薄膜1.1提供承托; 所述介质层2包括N+1层透明介质,由透明液态材料固化成型;N+1层透明介质厚度是调节频率选择表面电磁吸波谐振频率的重要变量; 所述N层图案化导电薄膜1.1与N层承托基板1.2构成的图案化吸波层复合结构与介质层2的N+1层透明介质交替放置,即单层图案化导电薄膜1.1与承托基板1.2放置在两层透明介质之间,构成界面损耗型谐振吸波模式; 所述边框3由三边相连边框与单边边框组成,便于嵌入图案化吸波层;边框3内壁定制与图案化吸波层中单层图案化导电薄膜1.1与承托基板1.2厚度相匹配的N个凹槽,相邻凹槽间距与介质层2中对应透明介质厚度相匹配;边框3上下边缘具有凹槽用于固定边框封板4; 所述边框封板4置于边框3上下边缘对应凹槽位置,与边框3共同组成介质层2透明介质液体固化成型模具; 所述反射背板5置于边框封板4中电磁波透射面外侧;基于反射背板实现谐振吸波,使电磁波被充分吸收,减小电磁波透射率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京理工大学,其通讯地址为:100081 北京市海淀区中关村南大街5号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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