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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种调节吸波频段的电控变形结构及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411021590.6，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种调节吸波频段的电控变形结构及其实现方法是由王莅辰;陈明继;宋维力设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种调节吸波频段的电控变形结构及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种调节吸波频段的电控变形结构及其实现方法，属于智能电磁隐身结构技术领域。一种调节吸波频段的电控变形结构，包括电控变形散射体结构阵列、固定基板、总控制电路。电控变形散射体结构阵列由N个电控变形散射体结构单元组成。本发明采用调节电控散射体子单元形状变化，改变对应散射体子单元谐振频率，使电控变形结构实现吸波频段的电控宽带连续调节。通过散射体子单元空间位置的随机分布增强散射体子单元之间的电磁耦合，使电控变形结构具有宽角度入射不敏感的超宽带吸波能力。电控散射体子单元动态调控与电磁谐振损耗吸波功能一体化，使电控变形结构具有制备工艺简单、轻量化且机械可靠性高特点。

本发明授权一种调节吸波频段的电控变形结构及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种调节吸波频段的电控变形结构，其特征在于：包括电控变形散射体结构阵列1、固定基板2、总控制电路3； 所述电控变形散射体结构阵列1由N个电控变形散射体结构单元组成； 所述电控变形散射体结构单元包括电控变形散射体子单元1.1、随机分散固定框架1.2、变形散射体子单元连接导线1.3和变形散射体结构控制电路板1.4； 所述的电控变形散射体子单元1.1采用包含高电导率材料的电控变形机理制备，所述的高电导率范围为1×104Sm～1×107Sm；所述的电控变形散射体子单元1.1兼具电控改变子单元形状和散射、谐振损耗电磁波能力； 所述的随机分散固定框架1.2，使电控变形散射体子单元1.1空间位置随机分布；散射体子单元空间位置的随机分布增强散射体子单元之间的电磁耦合，丰富电控变形散射体结构单元电磁谐振频率和电磁散射方向，从而极大扩展电控变形散射体结构阵列1宽角度宽带吸波能力； 所述的变形散射体子单元连接导线1.3使电控变形散射体子单元1.1相互之间实现电连通； 所述的变形散射体结构控制电路板1.4用于实现如下三个功能： 功能一：为电控变形散射体结构单元提供散射体结构子单元变形电能并调控变形散射体子单元连接导线1.3两条主并联电路端电压；功能二：为电控变形散射体结构单元电磁谐振损耗和电磁散射提供反射背板；功能三：将随机分散固定框架1.2和固定基板2连接并固定随机分散固定框架1.2和固定基板2的相对位置； 固定基板2用于固定电控变形散射体结构单元，以形成预设分布模式的电控变形散射体结构阵列； 所述的总控制电路3用于为N个电控变形散射体结构单元中变形散射体结构控制电路板1.4提供电能；N个电控变形散射体结构单元之间相互通信连接； 电控变形结构的静态吸波带宽由电控变形散射体子单元1.1的几何参数和预弯曲曲率半径及其自由空间随机分布密度决定；电控变形结构的动态调频功能通过调节电控变形散射体子单元1.1的曲率半径实现。

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