厦门三安光电有限公司于艳玲获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410881073.X，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种发光二极管及发光装置是由于艳玲;黄秀丽;吴佳楠;赵春丞;陈功;张中英;蔡吉明;黄少华;臧雅姝设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管包括半导体叠层、绝缘层、电极孔。半导体叠层自出光面至背面包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层。半导体叠层设置有自半导体叠层背面依次穿过第二半导体层、有源层并延伸到第一半导体层的半导体台阶，暴露出的第一半导体层表面为第一台阶面，第二半导体层朝向背面的表面为第二台阶面。绝缘层至少覆盖半导体台阶的侧壁和第一台阶面。电极孔设置在覆盖第一台阶面的绝缘层中，暴露出部分第一半导体层表面。电极孔至半导体台阶侧壁的距离D，且D≥3μm。本申请的发光二极管能够改善器件中电流分布的均匀性，进而提升发光二极管的发光亮度，有效提高芯片的光电转换效率。
本发明授权一种发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，具有相对设置的出光面及背面，其特征在于，包括： 半导体叠层1，自所述出光面至所述背面方向包括依次叠置的第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13；所述半导体叠层1设置有自所述半导体叠层1背面依次穿过部分所述第二半导体层13和所述有源层12并延伸到所述第一半导体层11的半导体台阶2，暴露出的所述第一半导体层11的表面为第一台阶面21，所述第二半导体层13朝向背面的表面为第二台阶面22； 绝缘层3，至少覆盖所述半导体台阶2的侧壁和所述第一台阶面21； 电极孔4，设置在覆盖所述第一台阶面21的所述绝缘层3中，并暴露出部分所述第一半导体层11的表面； 其中，所述电极孔4至所述半导体台阶2侧壁的距离为D，且D≥3μm。
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