福建省晋华集成电路有限公司郭英雄获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119002175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411087575.1，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由郭英雄;李文章设计研发完成，并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体结构及其制作方法，半导体结构包括衬底、以及目标层。目标层设置在衬底上，包括目标边界和多个目标图案。目标图案位在目标边界内。目标图案沿着彼此不垂直的第一方向和第二方向排列成阵列，并包括排列在垂直方向上的多个奇数列和偶数列。目标边界包括分别朝向垂直方向凸出的第一弧边和第二弧边，第一弧边和第二弧边的中心点在水平方向上不共平面。藉此，本发明可在不需增加额外的光刻工艺的前提下，提高目标图案和目标边界的可靠度，使得半导体结构能达到优化的功能与效果。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供计算系统； 输入多个第一光掩模图案，所述第一光掩模图案沿着彼此不垂直的第一方向和第二方向排列成阵列，并包括排列在垂直方向上的多个奇数列和偶数列； 输入第二光掩模图案，使得所述第二光掩模图案完全重叠一部分的所述第一光掩模图案，且完全暴露另一部分的所述第一光掩模图案，其中，所述第二光掩模图案包括在水平方向上的阶梯状表面； 依序输出所述第一光掩模图案和第二光掩模图案，分别在目标层上形成第一掩模层和第二掩模层；以及 通过所述第一掩模层和所述第二掩模层对所述目标层施行蚀刻工艺，形成所述半导体结构。
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