西安电子科技大学洪涛获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种双通带低频通带独立可开关频率选择表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119009500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411278680.3，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种双通带低频通带独立可开关频率选择表面是由洪涛;王志强;张喆荀;魏昆;姜文设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双通带低频通带独立可开关频率选择表面在说明书摘要公布了：本发明为一种双通带低频通带独立可开关频率选择表面，该频率选择表面表面由三层结构组成，上下两层为双通带金属层，在每层中间缝隙处放置了4个p‑i‑n二极管，中间层为十字金属结构，层之间为介质基板；一条金属柱穿过中心条带层连接上下层，将中间层和上下层分别连接直流电源正负极，通过金属柱给p‑i‑n二极管馈电。该三层结构可以实现双通带的独立控制，给p‑i‑n二极管施加正向电压可以使得低频通带独立可开关，高频通带稳定保持，且该结构具有很好的带内带外特性，宽通带和高频比的特点。本发明适用于双频和多频系统，适应越来越复杂的电磁环境，可以用于雷达隐身等应用。
本发明授权一种双通带低频通带独立可开关频率选择表面在权利要求书中公布了：1.一种双通带低频通带独立可开关频率选择表面，其特征在于，包括上双通带金属层12、中间十字金属层17和下双通带金属层15； 所述上双通带金属层12与下双通带金属层15的结构相同，且均具有双极化特性，每条支路上设置有一个p-i-n二极管11，从而在单层结构上实现双通带特性； 在中间十字金属层17的各支路与上双通带金属层12的各支路之间，以及与下双通带金属层15的各支路之间，设置外部电源，通过外部电源和馈线结构实现相应各p-i-n二极管11的直流馈电；当为p-i-n二极管11施加正向直流电压时，低频通带关闭，高频通带保持不变，实现对低频通带的独立开关特性；当为p-i-n二极管11施加负向直流电压时，呈现双通带特性，实现对低频通带的独立开关特性。
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