厦门三安光电有限公司颜同伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利半导体激光元件及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119070136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411088629.6，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权半导体激光元件及发光装置是由颜同伟;黄少华;邱若生;张中英;曾建尧设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光元件及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体激光元件及发光装置，在第一包覆层和第一波导层之间插入电子提供层，所述电子提供层的厚度小于或等于100nm，且所述电子提供层的n型掺杂浓度大于或等于3×1018atomcm3。通过高Si掺杂来提升电子浓度，促进电子从n型层向有源区的有效注入，从而有效增加载流子在激光有源区的复合几率，进而提升激光器的整体效率。同时，减薄并精确控制该电子提供层的厚度，以确保在提升局限因子的同时，尽量减少高Si掺杂对激光器件光电性能的负面影响，减降低产生晶体结构缺陷的概率，确保激光元件的性能稳定性，最终达到提高出光亮度的目的。
本发明授权半导体激光元件及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光元件，其特征在于，至少包括： 半导体叠层，所述半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述第一半导体层包括依次层叠的第一包覆层和第一波导层，所述第一波导层位于靠近所述有源层的一侧；其中， 所述第一包覆层和所述第一波导层之间还包括电子提供层，所述电子提供层的厚度小于或等于100nm；所述电子提供层的n型掺杂浓度大于或等于3×1018atomcm3，并且大于所述第一波导层的掺杂浓度； 所述第一波导层与所述有源层之间还包括应力释放层，所述应力释放层具有一n型掺杂的峰值浓度，所述电子提供层的n型掺杂浓度大于所述应力释放层的峰值浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门三安光电有限公司，其通讯地址为：361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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