苏州思萃车规半导体产业技术研究所有限公司谢国梁获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州思萃车规半导体产业技术研究所有限公司申请的专利半导体晶圆级封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411151003.5，技术领域涉及：H01L21/603；该发明授权半导体晶圆级封装方法及封装结构是由谢国梁;李俊杰;施秋楠;王凯厚;汤亚天设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶圆级封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体晶圆级封装方法及封装结构，半导体晶圆级封装方法中，通过环形凸起的设置，配合涂胶方式，保持封装键合强度的同时，提升了封装结构的气密性和可靠性，同时还能防止键合胶影响功能区域。
本发明授权半导体晶圆级封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶圆级封装方法，其特征在于，包括： 提供具有多个芯片单元的第一晶圆，每个所述芯片单元具有功能区以及第一键合区，所述第一键合区围绕所述功能区设置； 提供第二晶圆或基板，所述第二晶圆或基板具有与所述第一键合区对应的第二键合区； 在所述芯片单元的第一键合区上形成一圈第一环形凸起，相邻所述芯片单元的第一环形凸起之间具有第一间隔区，和或，在所述第二晶圆或基板的第二键合区上形成至少一圈第一环形凸起，相邻所述第二键合区的第一环形凸起之间具有第二间隔区；所述第一环形凸起为金属凸起； 在所述芯片单元的第一键合区上和或第二晶圆或基板的第二键合区上形成第二环形凸起的步骤；其中，所述第二环形凸起的内径小于其所属第一键合区或第二键合区上任一所述第一环形凸起的内径；所述第二环形凸起和与其相邻的第一环形凸起之间形成有第三间隔区； 在所述第一间隔区和或第二间隔区内填充胶水，所述胶水凸出所述第一环形凸起的顶面； 将所述第二晶圆或基板与所述第一晶圆对位压合； 其中，控制所述胶水的填充量，使得对位压合后，凸出所述第一环形凸起顶面的胶水仅被部分或全部挤压至所述第三间隔区内。
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