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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有激子极化子拓扑层的半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411018906.6，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种具有激子极化子拓扑层的半导体激光器是由阚宏柱;郑锦坚;张会康;黄军;蓝家彬;李晓琴;刘紫涵;蔡鑫设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有激子极化子拓扑层的半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有激子极化子拓扑层的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层，所述半导体激光器具有激子极化子拓扑层；所述激子极化子拓扑层包括第一激子极化子拓扑层、第二激子极化子拓扑层和第三激子极化子拓扑层，所述第一激子极化子拓扑层位于的下限制层与衬底之间，第二激子极化子拓扑层位于下限制层内部，以及第三激子极化子拓扑层位于下限制层与下波导层之间。本发明利用激子极化子作为粒子数反转的介质，增强激子极化子准粒子的稳定性，增强激光器的激光震荡，降低激光器能级粒子数反转的阈值电流，改善耗尽区的俘获效应、深能级陷阱和绝缘界面层。

本发明授权一种具有激子极化子拓扑层的半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种具有激子极化子拓扑层的半导体激光器，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、上限制层105，其特征在于，所述半导体激光器具有激子极化子拓扑层106；所述激子极化子拓扑层106包括第一激子极化子拓扑层106a、第二激子极化子拓扑层106b和第三激子极化子拓扑层106c，所述第一激子极化子拓扑层106a位于的下限制层101与衬底100之间，第二激子极化子拓扑层106b位于下限制层101内部，以及第三激子极化子拓扑层106c位于下限制层101与下波导层102之间； 所述第一激子极化子拓扑层106a的AlO元素比例分布具有近似函数y1＝sinx1x12第三象限曲线分布；所述第一激子极化子拓扑层106a的SiH元素比例分布具有近似函数y2＝ax12曲线分布，其中a＜0；所述第一激子极化子拓扑层106a的CO元素比例分布具有近似函数其中0＜b＜1； 所述第二激子极化子拓扑层106b的InO元素比例分布具有近似函数y4＝cx22分布曲线分布，其中c＜0；所述第二激子极化子拓扑层106b的SiO元素比例分布具有近似函数y5＝dx22分布曲线分布，其中d＜0；所述第二激子极化子拓扑层106b的CO元素比例分布具有近似函数曲线分布； 所述第三激子极化子拓扑层106c的AlH元素比例分布具有近似函数y7＝lnx3x3曲线分布；所述第三激子极化子拓扑层106c的SiH元素比例具有近似函数曲线分布；所述第三激子极化子拓扑层106c的CO元素比例具有近似一次函数曲线分布。

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