杭州大和热磁电子有限公司郭战杰获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州大和热磁电子有限公司申请的专利一种半导体真空腔密封槽修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119114769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411098611.4，技术领域涉及：B21D41/04；该发明授权一种半导体真空腔密封槽修复方法是由郭战杰;陈军;洪婧;谢如应;宋相振设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体真空腔密封槽修复方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体真空腔密封槽修复方法，包括有以下步骤：S1、将工件进行装夹固定，工件上设置有需要进行修复的缩口型密封槽；S2、将修复装置的加工面抵接密封槽的槽口，所述加工面为圆弧形结构；S3、调整修复装置相对工件的高度，通过加工面传递给槽口压力，槽口受加工面挤压产生收缩。本发明提供了一种半导体真空腔密封槽修复方法，能够在密封槽尺寸过大无法适配密封圈时，将密封槽进行修复，缩小密封槽的尺寸，保证密封效果。
本发明授权一种半导体真空腔密封槽修复方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体真空腔密封槽修复方法，其特征在于，包括有以下步骤： S1、将工件1进行装夹固定，工件1上设置有需要进行修复的缩口型密封槽2； S2、将修复装置5的加工面421抵接密封槽2的槽口21，所述加工面421为圆弧形结构； S3、调整修复装置5相对工件1的高度，通过加工面421传递给槽口21压力，槽口21受加工面421挤压产生收缩； 所述槽口21包括有上接触面211，所述上接触面211抵接加工面421，所述上接触面211受压后向下运动； 所述修复装置5包括有基体3，所述基体3端部设置有安装槽31，所述安装槽31内滚动连接有加工件4，所述加工件4上设置有抵接槽口21的所述加工面421。
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