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龙图腾网获悉北京遥测技术研究所申请的专利一种智能分离的微系统制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119218936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411154915.8，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种智能分离的微系统制备方法是由崔素宁;景翠;袁晓明;尹蒙蒙;宋涛;康楠;刘亚威;薛廷设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种智能分离的微系统制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种智能分离的微系统制备方法，预先在转接板晶圆不同深度处注入离子或者照射激光形成损伤层，完成转接板工艺后再利用退火或者化学方法使晶圆在损伤层处分离。本发明可将一片晶圆分离成三片使用，提高了晶圆的利用效率，降低了生产成本；由于晶圆最终被一分为三，无需衬底减薄即可实现整体封装的小型化，简化了工艺流程。同时，转接板挖腔、TSV等工艺过程均使用厚晶圆，无需临时键合就能给晶圆提供工艺机械支撑，因此降低了工艺难度和复杂性；由于两片转接板在一面加工，如TSV刻蚀、钝化层沉积以及通孔金属填充等工序经过合理设计能够合并为一起。相比于单片分别加工的方式，简化了工艺流程，提高了工艺均一性。

本发明授权一种智能分离的微系统制备方法在权利要求书中公布了：1.一种智能分离的微系统制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、在双面抛光的硅晶圆1中通过离子注入或者激光照射形成第一损伤层21和第二损伤层22，所述第一损伤层21位于所述第二损伤层22的上方，所述第一损伤层21和所述第二损伤层22将所述硅晶圆1从上到下依次分为转接板A、转接板B和转接板C； S2、将所述硅晶圆1中所述转接板A一侧朝上，在所述转接板A中制备第一TSV通孔31、第一空腔41和位于所述第一空腔41下方与所述第一损伤层21之间的第二TSV通孔32； S3、将所述硅晶圆1中所述转接板C一侧朝上，在所述转接板C中制备第二空腔42，所述第二空腔42的数量为至少两个，通过一部分所述第二空腔42在所述转接板B的表面制备第三空腔43、通过另一部分所述第二空腔42在所述转接板B中制备第三TSV通孔33，然后在所述转接板C中制备第四TSV通孔34； S4、将所述硅晶圆1进行退火或者湿法刻蚀使所述第一损伤层21、所述第二损伤层22中产生气泡或产生微纳结构得到独立的转接板A、转接板B和转接板C，所述第二空腔42为通孔；在所述第一空腔41中嵌入芯片并使芯片与所述转接板A互连得到转接板A组件，在所述转接板B表面表贴芯片并通过金丝与外界信号互连得到转接板B组件，然后将所述转接板A组件、所述转接板B组件和所述转接板C进行晶圆级键合、切片、与盖层7键合、与PCB互连得到所述微系统，一种智能分离的微系统制备方法完成。

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