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龙图腾网获悉天津三安光电有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411341106.8，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权发光二极管及发光装置是由吴志伟;王燕云;刘壮士;郭桓邵;彭钰仁设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延叠层，外延叠层具有相对的上表面和下表面，外延叠层沿上表面到下表面的方向依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；外延叠层具有同侧的第一外延侧壁和第二外延侧壁，第一外延侧壁为第一半导体层上的部分侧壁，第二外延侧壁为自第二半导体层的部分侧壁向外延叠层的上表面方向延伸，经发光层的侧壁直至延伸至第一半导体层的侧壁，第一外延侧壁连接第二外延侧壁，第一外延侧壁与第二外延侧壁的连接处形成一拐点，并在拐点处形成一夹角，夹角＞90°。借此设置，可以有效避免在切割道处残留有机物，有效提升发光二极管的发光特性。

本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括： 外延叠层，具有相对的上表面和下表面，所述外延叠层沿所述上表面到所述下表面的方向依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层； 其中，所述外延叠层具有同侧的第一外延侧壁和第二外延侧壁，所述第一外延侧壁为所述第一半导体层的部分侧壁，所述第二外延侧壁为自所述第二半导体层的部分侧壁向所述外延叠层的上表面方向延伸，经所述发光层的侧壁直至延伸至所述第一半导体层的侧壁，所述第一外延侧壁连接所述第二外延侧壁，所述第一外延侧壁与所述第二外延侧壁的连接处形成一拐点，并在所述拐点处形成一夹角，所述夹角＞90°； 所述发光二极管还包括第一电极、介质层、金属反射层、键合层、基板和第二电极，所述第一电极设置在所述外延叠层的上表面，所述介质层设置在所述外延叠层的下表面，所述介质层具有多个通孔，所述金属反射层设置在所述介质层远离所述外延叠层的一侧，所述金属反射层通过所述通孔电连接所述外延叠层，所述键合层设置在所述金属反射层远离所述外延叠层的一侧，所述基板设置在所述键合层远离所述外延叠层的一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津三安光电有限公司，其通讯地址为：300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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