天津三安光电有限公司吴志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉天津三安光电有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411339487.6，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权发光二极管及发光装置是由吴志伟;王燕云;刘壮士;郭桓邵;彭钰仁设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延叠层、介质层、金属反射层、基板和氧化保护层，外延叠层沿上表面到下表面的方向依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，介质层设置在外延叠层的下表面，介质层具有多个通孔，金属反射层设置在介质层远离外延叠层的一侧并通过通孔电连接外延叠层，基板设置在金属反射层远离外延叠层的一侧，氧化保护层包覆金属反射层的侧壁。借此设置，可以有效避免金属反射层出现金属迁移现象，避免发光二极管发生漏电现象，提升发光二极管的品质。
本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括： 外延叠层，具有相对的上表面和下表面，所述外延叠层沿所述上表面到所述下表面的方向依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层； 介质层，所述介质层设置在所述外延叠层的下表面，所述介质层具有多个通孔； 金属反射层，所述金属反射层设置在所述介质层远离所述外延叠层的一侧，所述金属反射层通过所述通孔电连接所述外延叠层； 基板，所述基板设置在所述金属反射层远离所述外延叠层的一侧； 氧化保护层，包覆所述金属反射层的侧壁； 其中，所述氧化保护层自所述基板的部分侧壁向上延伸包覆至所述介质层的侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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