长江存储科技有限责任公司王建东获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制造方法、半导体器件及存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310856402.0，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体器件的制造方法、半导体器件及存储器系统是由王建东;郑晓芬;罗佳明设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、半导体器件及存储器系统在说明书摘要公布了：本申请实施方式提供了一种半导体器件的制造方法、半导体器件及存储器系统。该方法包括：形成包括交替叠置的介电层和牺牲层的初始堆叠结构；形成贯穿初始堆叠结构的多个第一孔、至少一个第二孔以及多个第三孔，其中，多个第一孔和至少一个第二孔沿第一方向共线排布，多个第三孔沿第一方向共线排布，多个第一孔位于阵列区，多个第三孔位于连接区，第一方向垂直于初始堆叠结构的堆叠方向；利用多个第一孔、至少一个第二孔以及多个第三孔刻蚀初始堆叠结构，使多个第一孔彼此连通为第一栅线缝隙结构，多个第三孔彼此连通为第二栅线缝隙结构，第一栅线缝隙结构与刻蚀后的至少一个第二孔之间保留初始堆叠结构；以及利用至少一个第二孔形成隔离结构。
本发明授权半导体器件的制造方法、半导体器件及存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 形成包括交替叠置的介电层和牺牲层的初始堆叠结构，所述初始堆叠结构具有阵列区和连接区； 形成贯穿所述初始堆叠结构的多个第一孔、至少一个第二孔以及多个第三孔，其中，所述多个第一孔和所述至少一个第二孔沿第一方向共线排布，所述多个第三孔沿所述第一方向共线排布，所述多个第一孔位于所述阵列区，所述多个第三孔位于所述连接区，所述第一方向垂直于所述初始堆叠结构的堆叠方向； 利用所述多个第一孔、所述至少一个第二孔以及所述多个第三孔刻蚀所述初始堆叠结构，使所述多个第一孔彼此连通为第一栅线缝隙结构，所述多个第三孔彼此连通为第二栅线缝隙结构，所述第一栅线缝隙结构与刻蚀后的所述至少一个第二孔之间保留所述初始堆叠结构；以及 利用所述至少一个第二孔形成隔离结构。
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