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龙图腾网获悉北京大学;北京知识产权运营管理有限公司申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325273B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411295018.9，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备是由吴恒;彭莞越;付麒力;吴旭升;周发龙;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；对鳍状结构和衬底进行热氧化处理，以形成输入输出氧化绝缘层；在输入输出氧化绝缘层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二鳍状结构的第一表面和输入输出氧化绝缘层的一部分；刻蚀预设高度的第二鳍状结构，以形成第一凹槽；去除暴露出来的输入输出氧化绝缘层和位于第一凹槽侧壁的输入输出氧化绝缘层，以暴露绝缘隔离层；在第一凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述堆叠晶体管包括堆叠设置的第一晶体管和第二晶体管；所述方法包括： 在衬底上形成鳍状结构；所述鳍状结构包括第一鳍状结构和第二鳍状结构； 对所述鳍状结构和所述衬底进行热氧化处理，以形成输入输出氧化绝缘层；所述输入输出氧化绝缘层覆盖所述鳍状结构的表面以及所述衬底的表面； 在所述输入输出氧化绝缘层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；所述绝缘隔离层覆盖所述输入输出氧化绝缘层的表面； 基于所述第一鳍状结构，形成所述第一晶体管； 倒片并减薄所述衬底，直至暴露所述第二鳍状结构的第一表面和所述输入输出氧化绝缘层的一部分；所述第一表面为所述第二鳍状结构中远离所述第一鳍状结构的表面； 刻蚀预设高度的所述第二鳍状结构，以形成第一凹槽； 去除暴露出来的输入输出氧化绝缘层和位于所述第一凹槽侧壁的输入输出氧化绝缘层，以暴露所述绝缘隔离层； 在所述第一凹槽中沉积所述第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；所述绝缘隔离结构和位于所述第二鳍状结构侧壁的绝缘隔离层连成一体，并覆盖在所述第一表面； 基于所述第二鳍状结构，形成所述第二晶体管。

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