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龙图腾网获悉武汉飞恩微电子有限公司申请的专利压力传感器及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119334524B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411289324.1，技术领域涉及：G01L19/00；该发明授权压力传感器及制作方法是由王小平;曹万;李凡亮;杨军;吴登峰;吴林设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本压力传感器及制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种压力传感器，涉及压力传感器技术领域，一种压力传感器，包括围成一安装腔的外壳、压力测量组件、密封圈、由压力接口向安装腔内延伸形成的第一压紧部及注胶通道，外壳包括上下组合的端钮和压力接口，压力接口定义了内侧一端连通至安装腔的一压力引入通道；压力测量组件设置于安装腔内，包括基板以及固定于基板上侧表面或下侧表面的压力敏感元件；密封圈被基板朝下压紧至压力接口，其与基板的下侧、压力接口围合，形成位于密封圈内侧的压力腔以及位于密封圈外侧的填充腔，压力敏感元件连通至压力腔；第一压紧部经基板向第一密封圈施加压紧力；注胶通道用于向填充腔内注入密封胶。本申请具有密封性好的效果。

本发明授权压力传感器及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器，其特征在于，包括： 围成一安装腔2的外壳1，包括上下组合的端钮11和压力接口12，所述压力接口12定义了内侧一端连通至安装腔2的一压力引入通道121； 压力测量组件3，设置于所述安装腔2内，包括基板31以及固定于基板31上侧表面或下侧表面的压力敏感元件33； 密封圈4，被所述基板31朝下压紧至所述压力接口12，其与所述基板31的下侧、所述压力接口12围合，形成位于所述密封圈4内侧的压力腔21以及位于所述密封圈4外侧的填充腔22，所述压力敏感元件33连通至所述压力腔21； 由所述压力接口12向所述安装腔2内延伸形成的第一压紧部5，其经所述基板31向所述密封圈4施加压紧力； 及注胶通道6，用于向所述填充腔22内注入密封胶10； 还包括设置于基板31上的压座7，所述第一压紧部5朝下，经所述压座7间接地对所述基板31的边缘施加压紧力； 所述压力接口12的上端之外缘朝上延伸形成一筒体，所述筒体上端形成将端钮11朝下压紧至压力端口的第二压紧部9。

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