买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉河北工业大学申请的专利具有湿法刻蚀P电极的发光二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411545306.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权具有湿法刻蚀P电极的发光二极管的制备方法是由张勇辉;王林浩;张紫辉设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有湿法刻蚀P电极的发光二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明为具有湿法刻蚀P电极的发光二极管的制备方法。该方法在倒装结构DUVLEDs制备方法上，采用湿法刻蚀技术对已经形成良好欧姆接触的NiAu进行处理，即生长Ni后再生长Au，得到NiAu后，将其进行退火处理，然后再针对厚Au进行Au的刻蚀，把本来Au和Ni形成的颗粒去掉一部分Au，这样颗粒之间的间隙增大了，并造成Au的减薄，会减少对光的吸收，更多的光子可以通过空隙被金属反射镜反射，增加了其透过率。本发明克服了现有技术上P电极不能同时兼顾良好的欧姆接触特性和高透过率的问题。

本发明授权具有湿法刻蚀P电极的发光二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有湿法刻蚀P电极的发光二极管器件制备方法，其特征为该方法包括以下步骤： 第一步，外延片的生长： 首先在MOCVD反应炉中，将衬底在950℃～1350℃下进行烘烤，将衬底表面的异物进行清除，然后分别生长缓冲层、N-型半导体传输层、多量子阱层、P-型电子阻挡层、P-型半导体传输层； 第二步，干法刻蚀台阶： 在第一步得到的外延片上，采用光刻技术将光刻胶制作成台面形状并以此为掩膜，利用干法刻蚀技术刻蚀未覆盖光刻胶的部分，从而显露出N-型半导体传输层； 第三步，制作N-型欧姆电极： 在第二步得到的N-型半导体传输层上，通过光刻技术显露出N-型欧姆电极图案，利用蒸镀和剥离工艺制作N-型欧姆电极，然后热退火处理； 第四步，制作P-型欧姆电极： 在DUVLEDs外延片的P-型半导体传输层上，通过光刻技术显露出P-型欧姆电极图案,利用蒸镀和剥离工艺制作P-型欧姆电极，并在合适的气体氛围和温度下进行热退火处理； 第五步，湿法刻蚀P-型欧姆电极： 在第四步得到的P-型欧姆电极上，使用去离子水进行金属表面清洁，再旋涂一层光刻胶，利用光刻机将掩膜板上的P型欧姆电极的图案转移到外延片上，将除了P-型欧姆电极的部分保护起来，然后将外延片浸泡在Au刻蚀液中进行湿法刻蚀处理；刻蚀完毕后，将外延片取出进行清洗和干燥；其中，刻蚀时间为1～20分钟； 所述的Au刻蚀液的组成包括2～6wt%KI、2～6wt%I2以及1～5ppm的氯化物、1～6ppm的硫酸盐和1～6ppm的磷酸盐成分组成的硝化酸混合物； 所述的氯化物具体为氯化铜； 所述的硫酸盐具体为硫酸钙和硫酸铝； 所述的磷酸盐具体为磷酸钾和磷酸镍； 第六步，制作高反射电极： 在第五步得到的湿法刻蚀后的P-型欧姆电极上，通过光刻技术获得反射镜图案，利用蒸镀和剥离工艺沉积具有高反射率金属作为金属反射镜； 由此制得具有湿法刻蚀P电极的发光二极管器件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人河北工业大学，其通讯地址为：300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。