苏州宽温电子科技有限公司张琦瑢获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州宽温电子科技有限公司申请的专利用于存储器的性能预测方法、装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119358217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411358898.X,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权用于存储器的性能预测方法、装置、电子设备和存储介质是由张琦瑢;周戬;朱胜兰;佘一奇设计研发完成,并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器的性能预测方法、装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了:本申请提供了一种用于存储器的性能预测方法、装置、电子设备和存储介质,方法包括:以工艺参数集中的至少部分工艺参数作为向量元素生成第一向量;将第一向量输入第一预测模型,获得存储器的性能指标的第一预测值;根据第一预测模型中系数为零的输入变量,将第一向量中的作为该输入变量的向量元素删除,获得第二向量;将第二向量输入第二预测模型,获得性能指标的第二预测值,并将第二向量输入第三预测模型,获得性能指标的第三预测值;第二预测模型的拟合方差小于第三预测模型,且第三预测模型的拟合偏差小于第二预测模型;将第一预测值、第二预测值和第三预测值输入组合预测模型,获得性能指标的第四预测值,第四预测值用于指示性能指标的值。
本发明授权用于存储器的性能预测方法、装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了:1.一种用于存储器的性能预测方法,其特征在于,包括: 获取存储器的工艺参数集,以所述工艺参数集中的至少部分工艺参数作为第一向量的向量元素生成第一向量;其中,所述工艺参数集中的工艺参数包括以下至少之一:所述存储器包括的MOS管的阈值电压和所述存储器包括的MOS管的电子迁移率; 将所述第一向量输入第一预测模型,获得所述第一预测模型输出的所述存储器的性能指标的第一预测值; 根据所述第一预测模型中系数为零的输入变量,将所述第一向量中的作为该输入变量输入所述第一预测模型的向量元素删除,获得第二向量; 将所述第二向量输入第二预测模型,获得所述第二预测模型输出的所述性能指标的第二预测值,并将所述第二向量输入第三预测模型,获得所述第三预测模型输出所述性能指标的第三预测值;其中,所述第二预测模型的拟合方差小于所述第三预测模型,且所述第三预测模型的拟合偏差小于所述第二预测模型; 将所述第一预测值、所述第二预测值和所述第三预测值输入组合预测模型,获得所述组合预测模型输出的所述性能指标的第四预测值,所述第四预测值用于指示所述性能指标的值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州宽温电子科技有限公司,其通讯地址为:215127 江苏省苏州市江苏自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城1幢606-4室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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