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龙图腾网获悉贵州振华风光半导体股份有限公司申请的专利一种FLASH芯片三维堆叠封装结构与封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381381B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411319106.8，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种FLASH芯片三维堆叠封装结构与封装方法是由陈平;刘冰;夏良;贺京峰;尹灿设计研发完成，并于2024-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种FLASH芯片三维堆叠封装结构与封装方法在说明书摘要公布了：一种FLASH芯片三维堆叠封装结构与封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。通过含FLASH芯片的晶圆重布线、多层布线基板与引线键合技术，利用晶圆重布线技术将FLASH芯片正面电极按设定引出至芯片正面与多层基板背面，通过形成铜柱凸点用于堆叠时互连，通过引线键合与多层基板互连，利用倒装封装技术，将基板BGA与铜柱凸点互连实现芯片垂直堆叠集成。解决了现有技术中将芯片错位堆叠或垂直堆叠于多层基板上，互连焊接困难、电极数量布局受限、材料之间的热膨胀系数不匹配、封装成本高的问题，实现高封装密度的FLASH芯片堆叠封装。广泛应用于高性能、低成本微系统SiP封装技术领域中。

本发明授权一种FLASH芯片三维堆叠封装结构与封装方法在权利要求书中公布了：1.一种FLASH芯片三维堆叠封装结构，其特征在于：包括FLASH芯片，芯片表面重布线层，芯片表面重布线钝化层，芯片表面重布线互连铜柱，多层基板，芯片粘接层，键合引线，塑封层，基板BGA，层间填充层； 所述多层基板背面为基板BGA，正面为芯片粘接区及引线键合区，基板BGA与芯片粘接区、引线键合区通过基板中布线电路对应连接； 所述FLASH芯片通过芯片粘接层与芯片粘接区粘接； 所述芯片表面重布线钝化层位于FLASH芯片的表面； 所述芯片表面重布线层位于芯片表面重布线钝化层的表面，芯片表面重布线层表面的引线键合区及芯片表面重布线互连铜柱与芯片表面的芯片上电极对应连接； 所述芯片表面重布线层表面的引线键合区与多层基板正面的引线键合区通过键合引线按电路连接规定进行键合连接； 所述塑封层密封键合后的基板及芯片，上表面露出芯片表面重布线互连铜柱，底面露出基板BGA，形成FLASH芯片封装单元； 所述FLASH芯片封装单元为2个以上，相邻两层FLASH芯片封装单元之间为层间填充层，通过上层基板BGA与下层芯片表面重布线互连铜柱进行焊接连接。

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