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龙图腾网获悉西北核技术研究所申请的专利一种器件等效硅层厚度和单粒子翻转LET阈值的获取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119395743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411485219.5，技术领域涉及：G01T1/36；该发明授权一种器件等效硅层厚度和单粒子翻转LET阈值的获取方法是由罗尹虹;陈伟;张凤祁;王坦;江新帅设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种器件等效硅层厚度和单粒子翻转LET阈值的获取方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种器件等效硅层厚度和单粒子翻转LET阈值的获取方法，属于空间辐射效应模拟实验技术及抗辐射加固技术领域，解决器件等效硅层厚度和单粒子翻转LET阈值难以获取的技术问题，其获取方法包括求取平均质子能量及在硅中的LET值和射程；获取器件单粒子翻转截面与平均质子能量的关系曲线；提取器件低能质子单粒子翻转截面峰所对应的能量上下限；基于能量下限计算器件等效硅层厚度；基于能量上限求取器件灵敏体积内的质子射程、能量和LET值；基于高于且最靠近能量上限的质子，求取灵敏体积内的质子射程、能量和LET值；获取器件单粒子翻转的LET阈值的步骤。该方法能够实现器件等效硅层厚度和单粒子翻转LET阈值的准确获取。

本发明授权一种器件等效硅层厚度和单粒子翻转LET阈值的获取方法在权利要求书中公布了：1.一种器件等效硅层厚度以及单粒子翻转LET阈值的获取方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，求取平均质子能量及在硅中的LET值和射程： 依据器件信息，选定质子加速器和初始质子能量，利用SRIM软件，计算初始质子能量穿过不同厚度铝箔后，到达器件表面的平均质子能量及在硅中的LET值和射程； 步骤S2，获取器件单粒子翻转截面与平均质子能量的关系曲线： 开展器件低能质子单粒子效应实验，获取器件单粒子翻转截面与平均质子能量的关系曲线； 步骤S3，提取器件低能质子单粒子翻转截面峰对应的能量上下限： 基于器件低能质子单粒子效应实验数据，提取器件低能质子单粒子翻转截面峰，记录截面峰相对应的质子能量上限、下限； 步骤S4，计算器件等效硅层厚度： 基于低能质子单粒子翻转截面峰对应的能量下限，以及该能量下限对应的硅中射程求取器件灵敏体积上方等效硅层厚度，即器件等效硅层厚度； 步骤S5，求取能量上限的质子到达器件灵敏体积内的质子射程、能量和LET值：基于低能质子单粒子翻转截面峰对应的能量上限、该能量上限对应的硅中射程、以及器件等效硅层厚度，求取到达器件灵敏体积内的质子射程、能量和LET值； 步骤S6，求取高于且最靠近能量上限的质子到达器件灵敏体积内的质子射程、能量和LET值： 基于高于单粒子翻转截面峰能量上限且最靠近能量上限的质子能量、对应的硅中射程、以及器件等效硅层厚度，求取到达器件灵敏体积内的质子射程、能量和LET值； 步骤S7，获取器件单粒子翻转的LET阈值： 将步骤S5获取的能量上限的质子在器件灵敏体积内的LET值和步骤S6获取的高于且最靠近能量上限的质子在器件灵敏体积内的LET值进行平均，得到器件单粒子翻转LET阈值。

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