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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体器件的制作方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410718149.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制作方法及半导体器件是由李志勇;余阳城;孙科设计研发完成，并于2023-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制作方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件，包括：制作第一晶圆，第一晶圆包括基础层和目标结构层，基础层的第一侧设有容置槽，目标结构层部分或全部位于容置槽内；根据目标结构层的上表面相对于第一侧的高度，将目标结构层分为正常区和偏离区；根据第一晶圆上偏离区的高度相对于正常区的高度的偏差，对应设计第二晶圆上对应偏离区的容置槽的容积；制作第二晶圆，至少第二晶圆的目标结构层的部分和第一晶圆的目标结构层的部分采用相同的工艺条件制作而成。通过增大或减小第二晶圆上容置槽的容积，可控制目标结构层的上表面高度，提高了目标结构层的膜层厚度一致性，提高了半导体器件的良率。

本发明授权半导体器件的制作方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 制作第一晶圆，所述第一晶圆为晶圆样片，所述第一晶圆包括晶体管，所述晶体管包括基础层以及形成在所述基础层一侧的目标结构层，所述基础层的第一侧设有容置槽，所述目标结构层部分或全部位于所述容置槽内，所述目标结构层包括硅锗体，所述晶体管包括栅极，所述栅极位于所述第一侧，相邻所述栅极之间形成间隙，所述硅锗体的溢出部位于相邻所述栅极之间的间隙中，所述硅锗体包括种子层和外延层，所述种子层形成在所述容置槽的内侧壁，所述外延层形成在所述种子层内以及所述容置槽外部，所述外延层采用外延生长工艺形成； 根据所述目标结构层的上表面相对于所述第一侧的高度，将所述目标结构层分为正常区和偏离区，所述偏离区的高度大于或小于所述正常区的高度； 根据所述第一晶圆上所述偏离区的高度相对于所述正常区的高度的偏差，对应设计第二晶圆上对应所述偏离区的所述容置槽的容积，所述第二晶圆为晶圆正片； 制作所述第二晶圆，所述第二晶圆的外延层和所述第一晶圆的外延层采用相同的工艺条件制作而成。

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