深圳市昇维旭技术有限公司苏茂华获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410783329.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由苏茂华设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：形成初始半导体结构，包括多个沟道；在各沟道内形成叠层结构，且叠层结构延伸至初始半导体结构的表面，叠层结构包括绝缘层、氧化层和牺牲层；在各沟道内通入保护气体和辅助气体并进行反应，以在牺牲层的表面随形形成保护层，保护气体包括硅离子，辅助气体包括氧离子；对具有保护层的叠层结构进行蚀刻，去除位于沟道的底部的部分叠层结构以及去除位于功能层的表面的叠层结构，以露出衬底和功能层的表面。本公开通过在蚀刻器件沟道内的各膜层上形成保护层，保证了蚀刻后的膜层形貌和刻蚀轮廓的完整性，为后续器件的工艺制程提供良好的结构基础。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 形成初始半导体结构，所述初始半导体结构包括衬底、功能层和形成于所述功能层上的多个间隔分布的沟道； 在各所述沟道的底壁和侧壁上形成叠层结构，且所述叠层结构延伸至所述初始半导体结构的表面上，其中，所述叠层结构包括沿远离所述初始半导体结构的表面依次形成的绝缘层、氧化层和牺牲层； 在各所述沟道内通入保护气体和辅助气体并进行反应，以在所述牺牲层的表面随形形成保护层，其中，所述保护气体包括硅离子，所述辅助气体包括氧离子； 对具有所述保护层的所述叠层结构进行蚀刻，去除位于所述沟道的底部的部分所述叠层结构以及去除位于所述功能层的表面的所述叠层结构，以露出所述衬底和所述功能层的表面。
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