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龙图腾网获悉北京大学申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411522068.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备是由吴恒;褚衍邦;卢浩然;王润声;黄如设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管的第一伪栅结构；倒片并减薄衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管的第二伪栅结构；刻蚀预设高度的位于第二晶体管的第二源漏区域中的第二层间介质层，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积第一掩模材料，以形成第一硬掩模；暴露位于第一晶体管的第一栅极区域中的第一有源结构和位于第二晶体管的第二栅极区域中的第二有源结构；形成第一晶体管的第一栅极介质层和第二晶体管的第二栅极介质层；形成第二晶体管的第二栅极结构和第二金属互连层；倒片并暴露第一有源结构；形成第一晶体管的第一栅极结构和第一金属互连层。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括堆叠设置的第一晶体管和第二晶体管；所述方法包括： 在衬底上形成有源结构；所述有源结构包括堆叠设置的第一有源结构和第二有源结构； 基于第一有源结构，形成第一晶体管的第一伪栅结构、第一间隙壁、第一层间介质层和第一源漏结构； 倒片并减薄所述衬底； 基于所述第二有源结构，形成第二晶体管的第二伪栅结构、第二间隙壁、第二层间介质层和第二源漏结构； 刻蚀预设高度的位于第二晶体管的第二源漏区域中的第二层间介质层，以形成第一凹槽； 在所述第一凹槽中沉积第一掩模材料，以形成第一硬掩模； 在所述第一硬掩模的掩模作用下，去除所述第二伪栅结构和所述第一伪栅结构，以暴露位于第一晶体管的第一栅极区域中的第一有源结构和位于第二晶体管的第二栅极区域中的第二有源结构； 在所述第一有源结构和所述第二有源结构的表面沉积绝缘材料，形成第一晶体管的第一栅极介质层和第二晶体管的第二栅极介质层；所述第一栅极介质层和所述第二栅极介质层是一体成型的； 形成第二晶体管的第二栅极结构和第二金属互连层； 倒片并暴露所述第一有源结构； 形成第一晶体管的第一栅极结构和第一金属互连层。

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