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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院申请的专利一种GaN垂直互补场效应晶体管及反相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411308343.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种GaN垂直互补场效应晶体管及反相器是由刘志宏;陈俊宇;张渠;李振元;周瑾;侯松岩;杜航海;邢伟川;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN垂直互补场效应晶体管及反相器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN垂直互补场效应晶体管VCFET及反相器，VCFET包括衬底、第一晶体管、第二晶体管和公共的栅电极，第一晶体管和第二晶体管依次垂直堆叠在衬底上；第一晶体管为n型晶体管，第二晶体管为p型晶体管，形成GaN缓冲层、n管GaN沟道层、AlGaN势垒层、p管GaN沟道层和p管GaN掺杂层的整体结构形式；通过公共的栅电极实现同时对n型沟道和p型沟道的控制。在此结构基础上，将p型晶体管的源电极接高电平，n型晶体管的源电极接低电平，将两个晶体管的漏电极连接在一起并同时作为输出端，以栅电极作为输入端，即可实现反相器。该VCFET实现了高效、低功耗的电子传输特性，在保持高性能的同时，具有更小的占地面积，提高了集成度。

本发明授权一种GaN垂直互补场效应晶体管及反相器在权利要求书中公布了：1.一种GaN垂直互补场效应晶体管，其特征在于，包括衬底10、第一晶体管、第二晶体管和公共的栅电极50，所述第一晶体管和第二晶体管依次垂直堆叠在衬底10上； 所述第一晶体管为n型晶体管，包括沿远离衬底10的方向依次布置的GaN缓冲层21、n管GaN沟道层22和公共的AlGaN势垒层30，其中GaN缓冲层21直接布置在衬底10上，在GaN沟道层22与AlGaN势垒层30之间的异质结界面，形成二维电子气，二维电子气区域作为n型沟道，即第一晶体管的导电沟道； 所述第二晶体管为p型晶体管，包括沿远离衬底10的方向依次布置的所述AlGaN势垒层30、p管GaN沟道层42和p管GaN掺杂层41，在所述p管GaN沟道层42与AlGaN势垒层30之间的异质结界面，空穴积累形成二维空穴气，二维空穴气区域将作为p型沟道，即第二晶体管的导电沟道； 所述n型沟道和p型沟道垂直堆叠；所述第一晶体管的第一源电极23和第一漏电极24布置于n管GaN沟道层22，所述第二晶体管的第二源电极43和第二漏电极44布置于p管GaN沟道层42，所述第一晶体管和第二晶体管共同使用所述栅电极50，实现同时对n型沟道和p型沟道的控制。

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