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龙图腾网获悉甘肃省科学院传感技术研究所申请的专利一种高增益光电探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421526B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411270904.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种高增益光电探测器的制备方法是由赵季杰;强进;员朝鑫;王向谦;谢明玲;王兆龙;马彬彬;高晓平设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高增益光电探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高增益光电探测器的制备方法，涉及光电探测器技术领域，本发明包括S1结构设计：根据探测器的应用场景需求和工作环境，选择对应光电材料制作雪崩光电二极管，S2晶片准备：使用超声波清洗剂以及化学溶液对半导体晶片进行清洗操作，S3材料处理：进行掺杂操作，利用离子加速器将含有磷和硼元素的离子注入半导体材料中，S4增益优化：使用Cascode技术对电路进行优化，将两个晶体管的电路进行连接，S5封装集成：将制作好的芯片封装到外壳中；本发明通过使用Cascode技术对半导体的电路进行优化，通过调整电路的偏置电压、增益电路的配置和外部信号处理，能提高光电探测器的增益，同时减少对输出阻抗的影响，从而改善高频性能和整体电路的线性度。

本发明授权一种高增益光电探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高增益光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1结构设计：根据探测器的应用场景需求和工作环境，选择对应波长范围、灵敏度、响应速度、噪声水平、温度稳定性的光电材料制作雪崩光电二极管，通过化学气相沉积的技术在基片上生成光电材料薄膜，并使用光刻技术在晶圆上定义光电探测器的结构； S2晶片准备：使用超声波清洗剂以及化学溶液对半导体晶片进行清洗操作，去除半导体表面污染和灰尘，使用氮气以及干燥空气将清洗后的晶片吹干，去除残留在其表面的水分，并对晶片进行机械抛光操作，保证其表面的平整度，以提高光的入射效率和减少缺陷，同时使用化学刻蚀方法去除晶片表面自然形成的氧化层； S3材料处理：进行掺杂操作，利用离子加速器将含有磷和硼元素的离子注入半导体材料中，调节半导体的电子特性，将半导体分成含正电荷载流子的p型以及富含负电荷载流子的n型，并通过加热扩散的方式形成pn结，再进行退火处理，以改善材料的晶体结构和电学性能； S4增益优化：使用Cascode技术对电路进行优化，将两个晶体管的电路进行连接，保证前级电路的输出连接到后级电路的输入，应用高斯定律确定电场分布规律，再使用数值计算方法重新塑造电场分布，同时进行电场模拟实验对电场参数进行分析，并使用滤波器优化谐振效应，使用共射极放大器作为基本放大器，在基本放大器的输入级与输出级之间增加一个额外的增益级联管，所使用的级联管与输入管相同，将该级联管用作电流源，同时将输入信号连接到放大器的栅极，并将其输出端连接到级联管的栅极，将级联管的漏极连接到基本放大器的漏极，为所有管脚提供偏置电压，以确保电路在工作点上稳定运行； S5封装集成：将制作好的芯片封装到外壳中，以保护芯片免受外部环境影响，并确保与外部电路的连接通畅，使用石英作为光电探测器的光学窗口，为光信号的进入提供通道，最后进行光学对准和测试。

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