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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种无运放的低压带隙基准电压源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119440164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411542314.4，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种无运放的低压带隙基准电压源电路是由高如昌;周健;肖培磊设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无运放的低压带隙基准电压源电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种无运放的低压带隙基准电压源电路，属于电子电路领域。本发明包括正温度系数电流产生模块、正温度系数电压产生模块、基准电压合成模块；正温度系数电流产生模块产生正温度系数电流；正温度系数电压产生模块产生第一与温度成正比的电压；基准电压合成模块产生第二与温度成正比的电压，并与负温度系数电压相加，得到零温度系数带隙基准电压。本发明通过该结构，有效降低了温度系数；采用共源共栅电流镜，提升了电路的电源抑制比。与现有技术相比，未采用运放，降低了噪声和电源复杂性。

本发明授权一种无运放的低压带隙基准电压源电路在权利要求书中公布了：1.一种无运放的低压带隙基准电压源电路，其特征在于，包括： 正温度系数电流产生模块，产生带隙基准源中所需的稳定的与温度成正比的电流； 正温度系数电压产生模块，利用不同电流密度下的VBE的差值与绝对温度成正比，产生第一正温度系数电压； 基准电压合成模块，利用不同电流密度下的VBE的差值与绝对温度成正比，产生第二正温度系数电压，第二正温度系数电压与第一正温度系数电压叠加后形成第三温度系数电压；其中VBE是三极管中基极和发射极间的电压，将三极管的VBE经电阻分压后得到一个负温度系数电压；将第三正温度系数电压与负温度系数电压相加后得到接近于零温度系数的基准电压源； 所述正温度系数电流产生模块包括PMOS管P1~P4、NMOS管N1、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1~R3、电容C1； 所述正温度系数电压产生模块包括PMOS管P5~P6、PMOS管P13~P18、NMOS管N2、NMOS管N4、NMOS管N6~N8、三极管Q5、三极管Q6、电容C3； 所述基准电压合成模块包括PMOS管P7~P12、NMOS管N4、三极管Q3~Q4、电阻R4~R5、电容C2； PMOS管P1的源极、PMOS管P3的源极、PMOS管P5的源极、PMOS管P7的源极、PMOS管P8的源极、PMOS管P9的源极、PMOS管P11的源极、PMOS管P13的源极、PMOS管P15的源极、PMOS管P16的源极、PMOS管P17的源极、NMOS管N1的漏极、电容C1的上极板均与电源相连；PMOS管P1的漏极与PMOS管P2的源极相连，PMOS管P2的漏极与PMOS管P1的栅极、PMOS管P3的栅极、PMOS管P5的栅极、PMOS管P9的栅极、PMOS管P11的栅极、PMOS管P13的栅极、PMOS管P17的栅极、电容C1的下极板、电阻R1的第一端相连，电阻R1的第二端与PMOS管P2的栅极、PMOS管P4的栅极、PMOS管P6的栅极、PMOS管P10的栅极、PMOS管P12的栅极、PMOS管P14的栅极、PMOS管P18的栅极、NMOS管N1的栅极、三极管Q1的集电极相连，三极管Q1的发射极与电阻R2的第一端相连；三极管Q1的基极与电阻R3的第一端相连，PMOS管P3的漏极与PMOS管P4的源极相连，PMOS管P4的漏极与三极管Q2的集电极和基极、NMOS管N1的源极、电阻R3的第二端相连；PMOS管P5的漏极与PMOS管P6的源极相连，PMOS管P6的漏极与NMOS管N2的漏极和栅极、NMOS管N4的栅极、NMOS管N7的栅极相连；PMOS管P7的栅极和PMOS管P7的漏极、NMOS管N3的漏极相连，NMOS管N3的源极与NMOS管N4的漏极相连；PMOS管P8的漏极和三极管Q3的基极、三极管Q4的基极、电阻R4的第一端相连，电阻R4的第二端与电阻R5的第一端、输出端点VREF相连，电阻R5的第二端与三极管Q4的发射极、NMOS管N5的漏极、电容C2的上极板相连；PMOS管P9的漏极与PMOS管P10的源极相连，PMOS管P10的漏极与三极管Q3的集电极相连，三极管Q3的发射极与NMOS管N5的源极、三极管Q6的发射极、电容C3的上极板、NMOS管N8的漏极相连；PMOS管P11的漏极与PMOS管P12的源极相连，PMOS管P12的漏极与三极管Q4的集电极相连；PMOS管P13的漏极与PMOS管P14的源极相连，PMOS管P14的漏极与NMOS管N6的栅极、三极管Q5的集电极相连；PMOS管P15的漏极与PMOS管P15的栅极、NMOS管N6的漏极相连，NMOS管N6的源极与NMOS管N7的漏极相连；PMOS管P16的漏极与三极管Q5的基极、三极管Q6的基极相连；PMOS管P17的漏极与PMOS管P18的源极相连，PMOS管P18的漏极与三极管Q6的集电极、电容C3的下极板、NMOS管N8的栅极相连；电阻R2的第二端、三极管Q2的发射极、三极管Q5的发射极、NMOS管N2的源极、NMOS管N4的源极、NMOS管N7的源极、NMOS管N8的源极接地。

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