华北电力大学周玉菲获国家专利权
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龙图腾网获悉华北电力大学申请的专利一种MoSe2量子点负载亚氧化钛纳米管阵列光阳极的制备及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119455986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411585985.9，技术领域涉及：B01J27/057；该发明授权一种MoSe2量子点负载亚氧化钛纳米管阵列光阳极的制备及应用是由周玉菲;于明川;牛军峰设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MoSe2量子点负载亚氧化钛纳米管阵列光阳极的制备及应用在说明书摘要公布了：本发明属于环境工程技术领域，公开一种MoSe2量子点负载亚氧化钛纳米管阵列光阳极的制备及应用。过量单质Se在缺陷位点处形成MoSe2，同时参与调控异质结界面电场，优化Ti3+位点处电荷分布，降低其在催化过程中向高价态转化的趋势，提高体系催化稳定性。催化反应过程中，TiO2NTA对MoSe2QD产生的限域效应与界面电场介导的电荷转移效应可协同调控体系内电子的迁移转化路径，降低活性物种产生的反应能垒，有效增加体系活性物种产生量。该电极材料制备方法简单、易大规模化生产，对现有电化学设备进行简单改造，替换电氧化阳极材料，并在装置光阳极处设置防水LED光源即可构建光电催化降解装置，节省改造成本。
本发明授权一种MoSe2量子点负载亚氧化钛纳米管阵列光阳极的制备及应用在权利要求书中公布了：1.一种MoSe2量子点负载亚氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于，步骤如下： 步骤1：采用电刻蚀方法，配制电刻蚀溶液，在平板钛电极板表面原位制备亚氧化钛纳米管阵列电极TiO2NTA； 步骤2：以TiO2NTA作为基底，选择具有还原能力的Se单质和钼酸钠为反应前驱体，二者投加的摩尔比为3:1~2:1，以1-乙基-3-甲基咪唑醋酸盐离子液体作为反应溶剂，控制钼酸钠的浓度为0.01-0.1molL，采用溶剂热法，反应温度140~200℃，反应时间8~24h，溶剂热反应结束后取出电极材料进行退火，对电极进行电化学还原处理，得到MoSe2量子点负载亚氧化钛纳米管阵列光阳极MoSe2QDTiO2NTA； 退火的条件为：空气氛围、400℃反应2h。
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