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龙图腾网获悉武汉大学深圳研究院申请的专利一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411524459.1，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法是由张召富;程春敏;郭宇铮;吴改;梁康;沈威;汪启军;孙祥设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法在说明书摘要公布了：本发明涉及金刚石衬底异质外延生长薄膜的技术领域，具体涉及一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法，步骤为：建立不同厚度的氮化硼终端金刚石薄膜111表面模型；对表面模型进行结构优化，对结构优化后的表面模型进行第一性原理计算；对结构优化后的表面模型分别施加飞秒激光场，计算出碳碳键未被激发、而氮化硼中氮硼键和氮化镓中镓氮键被激发的激光强度、频率参数范围；根据获得的数据，施加不同梯度温度场进行第一性原理计算，获得在氮化硼中氮硼键断裂且氮化镓中镓氮键成键且其他键保持稳定的激光强度、频率和温度范围。本发明为改善金刚石衬底表面生长氮化镓提供有效方法，改善金刚石异质结电学性能的发展应用。

本发明授权一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法，其特征在于，包括以下步骤： S1:建立不同厚度的氮化硼终端金刚石薄膜111面的表面模型，其中，氮化硼与金刚石原子采用顶位对齐方式，硼原子与金刚石中碳原子接触形成硼-碳键，表面氮原子不进行饱和，单独悬挂，所述表面模型中氮化硼终端与金刚石通过碳硼键连接，终端暴露氮原子；上方氮化镓与终端结构通过镓氮键连接，向上形成生长层； S2:对不同厚度的氮化硼终端金刚石薄膜111面的表面模型以模型的总能量最小化为求解目标进行结构优化，得到终端金刚石的晶格常数、键长、键角与原子位置； S3:根据密度泛函理论，对结构优化后的不同厚度的氮化硼终端金刚石薄膜111面的表面模型进行第一性原理计算，得到基态电子密度与波函数； S4:对结构优化后的不同厚度的氮化硼终端金刚石薄膜111面的表面模型分别施加飞秒激光场，根据密度泛函理论的计算，设置不同激光强度、频率参数，计算出碳碳键未被激发、而氮化硼中氮硼键和氮化镓中镓氮键被激发的激光强度、频率参数范围； S5:根据S4步骤中获得的激光强度和频率参数范围，施加不同梯度温度场进行第一性原理计算，获得在氮化硼中氮硼键断裂且氮化镓中镓氮键成键且其他键保持稳定的激光强度、频率和温度范围。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉大学深圳研究院，其通讯地址为：518057 广东省深圳市南山高新区粤兴二道6号武汉大学深圳产研楼A302室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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