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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种刚柔混合三维晶圆架构毫米波晶上阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411660787.4，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权一种刚柔混合三维晶圆架构毫米波晶上阵列是由张君直;杨进;朱健设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种刚柔混合三维晶圆架构毫米波晶上阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种刚柔混合三维晶圆架构毫米波晶上阵列，包括若干刚性硅基晶圆，相邻两个刚性硅基晶圆之间设有中间层柔性材料晶圆，最上层的刚性硅基晶圆上端面设有刚性玻璃基晶圆，所述刚性玻璃基晶圆的上端面设有上层柔性材料晶圆，最下层的刚性硅基晶圆下端面设有下层柔性材料晶圆。本发明将大规模毫米波前端阵列的工程技术路线从“逐层堆叠式”演进为由异质材料、不同制程工艺的各种芯片异构集成的“拼接组装式”，解决了传统刚性硅基晶圆无法实现柔性共形天线的缺陷，解决了传统硅基晶圆和PCB直接互连时的热失配痛点以及解决了传统三维堆叠硅基晶圆毫米波射频信号传输损耗大的痛点。

本发明授权一种刚柔混合三维晶圆架构毫米波晶上阵列在权利要求书中公布了：1.一种刚柔混合三维晶圆架构毫米波晶上阵列，其特征在于：包括若干层刚性硅基晶圆1，相邻两个刚性硅基晶圆1之间设有中间层柔性材料晶圆5，最上层的刚性硅基晶圆1上端面设有刚性玻璃基晶圆2，所述刚性玻璃基晶圆2的上端面设有上层柔性材料晶圆3，最下层的刚性硅基晶圆1下端面设有下层柔性材料晶圆4； 任意一层或几层的刚性硅基晶圆1的内部设有裸芯片6，所述裸芯片6的位置根据毫米波晶上阵列的设计要求布局； 所述刚性硅基晶圆1内部设有TSV7，所述TSV7的位置和数量根据毫米波晶上阵列的垂直传输要求设计； 所述刚性硅基晶圆1的上端面和下端面均设有RDL8，所述RDL8的层数和位置根据毫米波晶上阵列的平面传输要求设计； 所述刚性硅基晶圆1内部设有IPD9，所述IPD9的位置和数量根据毫米波晶上阵列的电路设计进行排布； 所述上层柔性材料晶圆3或下层柔性材料晶圆4的上端面、下端面和内部设有金属化结构10，所述金属化结构10的位置和数量根据上层柔性材料晶圆3或下层柔性材料晶圆4的电路设计进行排布； 所述下层柔性材料晶圆4的下端面设有互连结构11，所述互连结构11的位置和数量根据下层柔性材料晶圆4的互连传输要求设计； 最中间层的刚性硅基晶圆1内部设有悬梁式结构传输线12，与上层柔性材料晶圆3和下层柔性材料晶圆4共同构成悬梁式结构带状线，所述悬梁式结构传输线12的位置和尺寸根据刚性硅基晶圆1内部的平面传输要求设计。

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