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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种提升GaNn沟和p沟器件集成度的结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411719568.9，技术领域涉及：H10D84/05；该发明授权一种提升GaNn沟和p沟器件集成度的结构及制备方法是由严张哲;周建军;王元;王登贵;胡壮壮设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升GaNn沟和p沟器件集成度的结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种提升GaNn沟和p沟器件集成度的结构及制备方法，涉及半导体器件制备技术领域，在衬底上依次形成高阻缓冲层、GaN沟道层、势垒层、电流传输过渡层、沟道电流扩展层、电流阻断层、p型欧姆接触层；通过n沟区域刻蚀掩模，刻蚀去除电流传输过渡层、沟道电流扩展层、电流阻断层和p型欧姆接触层，漏出n沟器件制备区域制作掺杂栅控制层，掺杂栅控制层左右两侧设置欧姆接触电极a和欧姆接触电极b，p型欧姆接触层上设置欧姆接触电极c，刻蚀p型欧姆接触层和电流阻断层以及部分沟道电流扩展层，再生长介质层，在n沟器件栅金属制备区域和p沟栅控制区域制备栅金属层a和栅金属层b，制备精度要求低，p沟器件电流传输能力高。

本发明授权一种提升GaNn沟和p沟器件集成度的结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提升GaNn沟和p沟器件集成度的结构的制备方法，其特征在于，步骤如下： 步骤一.在衬底1上的形成高阻缓冲层2，在高阻缓冲层2上形成GaN沟道层3，在GaN沟道层3上形成势垒层4，在势垒层4上形成电流传输过渡层5、在电流传输过渡层5上形成沟道电流扩展层6、在沟道电流扩展层6上形成电流阻断层7、在电流阻断层7上形成p型欧姆接触层8；通过n沟区域刻蚀掩模，刻蚀去除n沟区域势垒层4以上的电流传输过渡层5、沟道电流扩展层6、电流阻断层7和p型欧姆接触层8，漏出n沟器件制备区域； 步骤二.通过选择再生长工艺在n沟器件制备区域制作掺杂栅控制层9； 步骤三.利用蒸发剥离工艺在刻蚀漏出的势垒层4上以及p型欧姆接触层8上制备欧姆接触电极a10-a、欧姆接触电极b10-b和欧姆接触电极c10-c金属，其中欧姆接触电极a10-a和欧姆接触电极b10-b分别设置在掺杂栅控制层9左右两侧，欧姆接触电极c10-c设置在p型欧姆接触层8上，并通过合金形成欧姆接触； 步骤四.通过p沟栅控制区域刻蚀掩模，刻蚀p型欧姆接触层8和电流阻断层7以及部分沟道电流扩展层6； 步骤五.通过生长介质层11形成栅控制介质层和表面保护层； 步骤六.通过介质刻蚀在掺杂栅控制层9上方漏出n沟器件栅金属制备区域； 步骤七.通过蒸发剥离分别在n沟器件栅金属制备区域和p沟栅控制区域制备栅金属层a12-a和栅金属层b12-b，形成n沟和p沟器件的栅； 步骤八.通过刻蚀工艺漏出欧姆接触电极a10-a、欧姆接触电极b10-b和欧姆接触电极c10-c的金属电极。

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