厦门大学姜伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119560232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411746990.3，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用是由姜伟;吴雅苹;尹君;康闻宇;康俊勇设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用，涉及导电薄膜领域，以此堆叠的基片、透明晶体薄层和若干间隔设置的金属薄层；通过金属薄层施加电压，使透明晶体金属薄层击穿，形成细线状导电通道；通过退火处理，使金属薄层中的金属原子扩散进入细丝状导电通道中，形成导电纤维；将剩下的金属薄层去除，形成透明电极膜。其中，基片为紫外LED、探测器或者太阳能电池的外延片；透明晶体薄层为AlN、GaN、AlxGa1‑xN、Al2O3或者TiO2等，金属薄层为Au、Ag、Ti、Cu、或者Al。其兼具高导电性和高透明性，结构简单，易于大规模生产。作为紫外光电器件的关键部分，其能够提高器件的光电转换效率，可应用于柔性电子、透明智能器件等诸多领域。
本发明授权一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用在权利要求书中公布了：1.一种透明电极膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、在基片表面制备透明晶体薄层；所述透明晶体薄层为AlN、GaN、AlxGa1-xN、Al2O3中的一种，其掺杂类型为非掺杂、n型掺杂或p型掺杂； 步骤2、在透明晶体薄层的表面制备若干间隔排列设置的金属薄层；所述金属薄层为Au、Ag、Ti、Cu、Cr、Ru、Ta、Pt、Pd、Al中的一种； 步骤3、对相邻的两所述金属薄层施加电压，使得相邻的两所述金属薄层之间的透明晶体薄层击穿，形成若干细线状导电通道； 步骤4、进行退火处理，使金属薄层中的金属原子扩散进入细线状导电通道中，形成导电纤维； 步骤5、将残留的金属薄层去除，从而形成透明电极膜。
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